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公开(公告)号：CN103247691B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210511484.7
申请日：2012-11-28
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/2206 , H01L29/41725 , H01L29/41733 , H01L29/7869
摘要： 本发明是有关于一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。
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公开(公告)号：CN106458759A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029802.8
申请日：2015-06-24
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN102971807B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180034573.0
申请日：2011-07-08
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01B13/00 , C01G55/00 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/2206 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。
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公开(公告)号：CN106414366A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580029806.6
申请日：2015-06-24
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.20以上且0.45以下，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于3.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN103247691A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210511484.7
申请日：2012-11-28
申请人： 元太科技工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/2206 , H01L29/41725 , H01L29/41733 , H01L29/7869
摘要： 本发明是有关于一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括栅极、半导体层、绝缘层、源极以及漏极。半导体层具有相对的第一端与第二端。绝缘层配置于栅极与半导体层之间。源极夹持半导体层的第一端，且漏极夹持半导体层的第二端。
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公开(公告)号：CN104926289A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510256414.5
申请日：2009-12-07
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/622
CPC分类号： H01L29/2206 , C04B35/453 , C23C14/3414 , H01L21/02403 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , Y10T428/10
摘要： 本发明为一种复合氧化物烧结体，其含有In、Zn及Sn，烧结体密度以相对密度计为90％以上、平均结晶粒径为10μm以下、体电阻为30mΩcm以下，直径10μm以上的氧化锡的凝集粒子数在每1.00mm2为2.5个以下。
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公开(公告)号：CN102245531A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149720.1
申请日：2009-12-07
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/2206 , C04B35/453 , C23C14/3414 , H01L21/02403 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , Y10T428/10
摘要： 本发明为一种复合氧化物烧结体，其含有In、Zn及Sn，烧结体密度以相对密度计为90％以上、平均结晶粒径为10μm以下、体电阻为30mΩcm以下，直径10μm以上的氧化锡的凝集粒子数在每1.00mm2为2.5个以下。
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公开(公告)号：CN102245531B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN200980149720.1
申请日：2009-12-07
申请人： 出光兴产株式会社
IPC分类号： H01L21/363 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/2206 , C04B35/453 , C23C14/3414 , H01L21/02403 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , Y10T428/10
摘要： 本发明为一种复合氧化物烧结体，其含有In、Zn及Sn，烧结体密度以相对密度计为90％以上、平均结晶粒径为10μm以下、体电阻为30mΩcm以下，直径10μm以上的氧化锡的凝集粒子数在每1.00mm2为2.5个以下。
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公开(公告)号：CN104538453A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410836507.0
申请日：2014-12-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 胡合合
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/267 , H01L21/77 , H01L27/12
CPC分类号： G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F2203/04103 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/1606 , H01L29/2206 , H01L29/247 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L29/786 , H01L21/77 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/1259 , H01L29/267 , H01L2021/775
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，其中，所述有源层包括沿所述有源层的厚度方向叠层设置的半导体氧化物层和石墨烯层，形成所述半导体氧化物层的氧化物的功函数小于形成所述石墨烯层的石墨烯的功函数。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和一种显示器件。在形成所述薄膜晶体管的源漏极时，所述薄膜晶体管的有源层不容易受到腐蚀，并且所述薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN102971807A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180034573.0
申请日：2011-07-08
申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC分类号： H01B13/00 , C01G55/00 , H01B5/14 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/2206 , C01G55/00 , C01G55/002 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L29/4908 , H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种前体组合物，其用于通过简易的液相工艺来形成显示高导电性、同时即使加热至高温也稳定维持非晶体结构的导电性氧化物膜。本发明的前体组合物含有选自镧系元素（其中，排除铈）的羧酸盐、硝酸盐和硫酸盐中的至少1种，选自钌、铱或铑的羧酸盐、亚硝酰羧酸盐、亚硝酰硝酸盐和亚硝酰硫酸盐中的至少1种，与含有选自羧酸、醇和酮中的至少1种的溶剂。
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