一种高熵合金的熔炼方法

    公开(公告)号:CN115874073B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202211506652.3

    申请日:2022-11-28

    IPC分类号: C22C1/02 C22C30/00

    摘要: 本发明属于合金材料制备技术领域,公开了一种高熵合金的熔炼方法。所述方法包括如下步骤:(1)根据高熵合金所需配比备好原料,再按照真空感应熔炼坩埚温度分布图,将各组元按照熔点高低进行放置;(2)将真空感应炉腔体内抽真空,然后充入惰性气体,升温进行熔炼,然后升温至金属完全熔化温度以上20~50℃时进行浇铸出炉,得到一次铸锭;(3)将步骤(2)的一次铸锭直接放回原有坩埚,依次抽真空、充入惰性气体并升温进行熔炼,待一次铸锭完全熔化后,升温至初步熔化温度以上20~50℃时开始浇铸,浇铸过程开启震动装置,出炉后得到高熵合金。本发明方法无需制粉,可显著提高熔炼均匀性,降低铸锭缩孔和成分偏析。

    一种高纯银溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN115992342B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202211631292.X

    申请日:2022-12-15

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/14 B21B3/00

    摘要: 本发明属于溅射靶材技术领域,具体涉及一种高纯银溅射靶材及其制备方法,本发明通过将银锭于500℃~900℃均匀化热处理后进行锻造,将锻造后的银锭于300℃~400℃退火冷却至室温,再进行冷轧,将冷轧后的靶坯经热处理后冷却制得高纯银溅射靶材,本发明通过控制制备方法中的热处理温度、退火温度及冷轧工艺参数如道次变形量和总变形量,有效细化了高纯银溅射靶材的晶粒尺寸,使得平均晶粒尺寸<15μm,低至8μm,且组织均匀,内部无缺陷。

    一种高纯银溅射靶材及其制备方法

    公开(公告)号:CN115992342A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211631292.X

    申请日:2022-12-15

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/14 B21B3/00

    摘要: 本发明属于溅射靶材技术领域,具体涉及一种高纯银溅射靶材及其制备方法,本发明通过将银锭于500℃~900℃均匀化热处理后进行锻造,将锻造后的银锭于300℃~400℃退火冷却至室温,再进行冷轧,将冷轧后的靶坯经热处理后冷却制得高纯银溅射靶材,本发明通过控制制备方法中的热处理温度、退火温度及冷轧工艺参数如道次变形量和总变形量,有效细化了高纯银溅射靶材的晶粒尺寸,使得平均晶粒尺寸<15μm,低至8μm,且组织均匀,内部无缺陷。

    一种高熵合金的熔炼方法

    公开(公告)号:CN115874073A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211506652.3

    申请日:2022-11-28

    IPC分类号: C22C1/02 C22C30/00

    摘要: 本发明属于合金材料制备技术领域,公开了一种高熵合金的熔炼方法。所述方法包括如下步骤:(1)根据高熵合金所需配比备好原料,再按照真空感应熔炼坩埚温度分布图,将各组元按照熔点高低进行放置;(2)将真空感应炉腔体内抽真空,然后充入惰性气体,升温进行熔炼,然后升温至金属完全熔化温度以上20~50℃时进行浇铸出炉,得到一次铸锭;(3)将步骤(2)的一次铸锭直接放回原有坩埚,依次抽真空、充入惰性气体并升温进行熔炼,待一次铸锭完全熔化后,升温至初步熔化温度以上20~50℃时开始浇铸,浇铸过程开启震动装置,出炉后得到高熵合金。本发明方法无需制粉,可显著提高熔炼均匀性,降低铸锭缩孔和成分偏析。