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公开(公告)号:CN113228232A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201980087197.8
申请日:2019-12-27
申请人: 克利公司
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/78 , C30B33/00 , H01L21/762
摘要: 用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法,包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如>800μm厚度),其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂,以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进:(i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩;(ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体;和/或(iii)向晶体材料施加超声能量。