公开(公告)号：CN1321227C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN02826749.4

申请日：2002-12-13

申请人： 六号元素有限公司

发明人： G·A·斯卡斯布鲁克 ,  P·M·玛缇尼奥 ,  D·J·特维臣 ,  A·J·怀特黑德 ,  M·A·库珀 ,  B·S·C·多恩

IPC分类号： C30B25/10 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明公开了通过CVD生产且具有均匀的总硼浓度的单晶硼掺杂金刚石层。该层由单一生长面形成，或具有超过100微米的厚度，或具有超过1mm3的体积，或这些特征的组合。

公开(公告)号：CN1612955A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826749.4

申请日：2002-12-13

申请人： 六号元素有限公司

发明人： G·A·斯卡斯布鲁克 ,  P·M·玛缇尼奥 ,  D·J·特维臣 ,  A·J·怀特黑德 ,  M·A·库珀 ,  B·S·C·多恩

IPC分类号： C30B25/10 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  Y10T428/30

摘要： 本发明公开了通过CVD生产且具有均匀的总硼浓度的单晶硼掺杂金刚石层。该层由单一生长面形成，或具有超过100微米的厚度，或具有超过1mm3的体积，或这些特征的组合。