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公开(公告)号：CN113355736B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202010150312.6
申请日：2020-03-06
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉晶体棒肩部保护装置，包括防护套和支架，所述防护套被配置于肩部外壁，所述支架贯穿所述防护套并沿所述防护套高度方向或宽度方向调节适配点，以使所述防护套固定在所述肩部上。本发明还提出一种直拉晶体棒肩部保护方法。本发明提出的保护装置，体积小且使用灵活，易于操作，适应于各种尺寸晶体棒头部的防护，通用性强，固定速度快且不易脱落，防护效果好，工作效率高。
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公开(公告)号：CN112301414B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201910700748.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种大尺寸单晶的收尾工艺，在等径生长结束后，依次包括S1：稳定热场温度，阶梯式提高单晶拉速并保持埚转速度不变，使单晶直径缩小至比等径直径低；S2：迅速提高加热器功率以提升热场温度，并将埚转速度降低，同时对所述S1中的单晶拉速进行阶梯式降速，所述单晶拉速降低一定速度后保持不变直至收尾结束。采用本发明收尾工艺能够在2h内完成对大尺寸单晶的收尾收尖，解决了现有收尾工艺中收尾生长效率低的问题，且并未出现断苞、结晶或位错等现象，保证产权质量，提高单晶产能。本发明还公开了一种大尺寸单晶的制备工艺。
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公开(公告)号：CN112853476A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911182250.0
申请日：2019-11-27
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明揭露了一种提高直拉单晶效率的方法，所述直拉单晶包括缓降温，在缓降温时，对应不同的晶体位置区间，设置不同的取段慢速以及慢速提升时间，且在不进行复投的缓降温基础上，对应不同的晶体位置区间，单晶炉主室内设置不同的熔硅功率，且晶体位置区间相对较高的单晶，其取段慢速相对较快，慢速提升时间相对较短，所述熔硅功率相对较低，晶体位置区间相对较高的单晶则相反，如此，减少了一些短单晶不必要的多余缓降温时间，从而大大提高了生产效率，而且减少了气体用量以及耗电量，从而降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN110424050A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910868501.4
申请日：2019-09-12
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种适用于大尺寸单晶提拉速及散热的装置，包括制冷装置主体、进水管道和出水管道，进水管道与出水管道分别与制冷装置主体连接，便于冷却介质在制冷装置主体内循环流通，其中，制冷装置主体设有多个视线孔，多个视线孔沿着单晶炉盖至坩埚方向依次设置；以及，单晶炉盖设有观察孔，多个视线孔设于制冷装置主体与观察孔相对侧，便于观察单晶的生长。本发明的有益效果是具有多个视线孔，便于观察单晶的生长，在保证晶体结晶区温度维持在硅结晶点温度的前提下，加快晶体表面热量散失，增加晶体轴向温度梯度，促进单晶拉速提升。
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公开(公告)号：CN109267148A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811443872.X
申请日：2018-11-29
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英坩埚及其石英坩埚多次涂层的工艺方法，包括气泡复合层、透明层和涂层，涂层包括第一涂层和第二涂层，气泡复合层、透明层、第一涂层与第二涂层从外至内依次设置，在石英坩埚透明层表面涂覆一层钡溶液；在直拉单晶取段复投阶段加入碳酸钡，碳酸钡进入坩埚后位于石英坩埚的R角处。本发明的有益效果是使得石英坩埚结构简单，使用方便，便于直拉单晶时使用，具有碳酸钡涂层，减少硅溶液对石英坩埚的内壁的腐蚀，提高石英坩埚的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109267147A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811443842.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英坩埚及其采用石英坩埚拉制硅单晶的方法，包括气泡复合层、透明层和涂层，涂层包括第一涂层和第二涂层，气泡复合层、透明层、第一涂层与第二涂层从外至内依次设置；在直拉单晶取段复投阶段，投入一定量的碳酸钡，同时控制所述取段复投阶段氩气的流量。本发明的有益效果是使得石英坩埚结构简单，使用方便，便于直拉单晶时使用，具有碳酸钡涂层，减少硅溶液对石英坩埚的内壁的腐蚀，提高石英坩埚的使用寿命。
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公开(公告)号：CN107460538A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710594992.9
申请日：2017-07-19
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供了一种提高复投单晶硅成晶率的方法，通过复投料筒向坩埚内投入硅料，当投入坩埚内硅料液面高出坩埚底部圆角一定距离后，通过该复投料筒向坩埚内投入数克碳酸钡，然后通过该复投料筒继续向坩埚内投入硅料。本方法中，坩埚被腐蚀后二氧化硅裸露出，投入碳酸钡粉末后，加热后生成氧化钡，氧化钡和二氧化硅反应生成BaSiO3，由于硅酸钡的存在，使得石英坩埚壁上形成一层致密微小的方石英结晶，从而减缓石英坩埚被溶液腐蚀的程度，同时，由于针孔处形成了方石英结晶，从而减少进入硅溶液中的杂质气体，达到提高复投后直拉单晶硅的成晶率。
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公开(公告)号：CN112301418B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910700777.1
申请日：2019-07-31
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种适用于大尺寸单晶增加投料量的热场结构，包括导流筒，还包括支撑件、支撑件连接杆和导流筒连接件，其中，支撑件连接杆与导流筒连接件连接，导流筒连接件与导流筒连接，支撑件连接杆可伸缩，便于导引导流筒上下移动；支撑件与支撑件连接杆连接，支撑件与上保温筒接触配合，以便于支撑件对支撑件连接杆的上下移动的行程进行限定。本发明的有益效果是结构简单，制作方便，且便于维修，适用于大尺寸单晶炉台导流筒结构及投料方法，作用是增加炉台最大投料量，减少复投次数节省复投时间，提升有效工时利用率，提升产量。
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公开(公告)号：CN113355741A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010150443.4
申请日：2020-03-06
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉单晶引晶工艺，包括：采用若干CCD同步对引晶晶体直径进行监控，获得若干组所述引晶晶体直径的测试值；取所述测试值中的较大值与所述引晶晶体直径的标准值相比较；再调整所述引晶晶体拉晶速度使所述测试值在所述标准值范围内。本发明还提出用以该引晶工艺的单晶炉。本发明提出的引晶工艺，通过两组CCD测得的引晶直径作对比，选择CCD中显示的最小直径为引晶直径，并通过该直径进行引晶调节，获得合格的引晶晶体，且引晶晶体不发生引断，引晶成晶率高。
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公开(公告)号：CN113355736A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010150312.6
申请日：2020-03-06
Applicant: 内蒙古中环光伏材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种直拉晶体棒肩部保护装置，包括防护套和支架，所述防护套被配置于肩部外壁，所述支架贯穿所述防护套并沿所述防护套高度方向或宽度方向调节适配点，以使所述防护套固定在所述肩部上。本发明还提出一种直拉晶体棒肩部保护方法。本发明提出的保护装置，体积小且使用灵活，易于操作，适应于各种尺寸晶体棒头部的防护，通用性强，固定速度快且不易脱落，防护效果好，工作效率高。
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