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公开(公告)号：CN109564959B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780047215.0
申请日：2017-11-08
申请人： 创光科学株式会社
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
摘要： 一种峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，具备：第1步骤，在包含蓝宝石基板的基底部的上表面，形成n型的AlXGa1‑XN(1≥X≥0.5)系半导体所构成的n型半导体层；第2步骤，在n型半导体层的上方，形成包含AlYGa1‑YN(X＞Y＞0)系半导体所构成的发光层、且整体由AlGaN系半导体构成的活性层；及第3步骤，在活性层的上方，形成p型的AlZGa1‑ZN(1≥Z＞Y)系半导体所构成的p型半导体层。在此制造方法中，第2步骤的生长温度比1200℃更高且为第1步骤的生长温度以上。
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公开(公告)号：CN108140703B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201580083867.0
申请日：2015-10-27
摘要： 氮化物半导体紫外线发光装置(1)通过将氮化物半导体紫外线发光元件(10)倒装芯片安装在基台(30)上，并通过末端官能基为全氟烷基的非晶质氟树脂进行树脂密封而成，该氮化物半导体紫外线发光元件具备蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)表面上的AlGaN系半导体的半导体层叠部(12)、n电极(13)、p电极(14)、以及形成在蓝宝石基板(11)背面上的使紫外线透过的背面覆盖层(15)。背面覆盖层(15)具有使蓝宝石基板(11)的背面的一部分露出的开口部(16)，开口部(16)配置为均匀地分散或分布在所述蓝宝石基板的背面上，开口部(16)的与蓝宝石基板(11)的背面垂直的剖面形状具有接近所述背面的部位的开口宽度比远离所述背面的部位的开口宽度大的部分，背面覆盖层(15)的表面被所述非晶质氟树脂覆盖，开口部(16)的内部被所述非晶质氟树脂覆盖填充。
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公开(公告)号：CN103733449B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180072697.8
申请日：2011-08-09
申请人： 创光科学株式会社
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/38
摘要： 氮化物半导体紫外线发光元件，具备：基底结构部，包含蓝宝石(0001)基板、和形成在所述基板上的A1N层；以及发光元件结构部，形成在所述基底结构部上，且包含n型A1GaN系半导体层的n型包覆层、具有A1GaN系半导体层的活性层、和p型A1GaN系半导体层的p型包覆层，所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏离角发生倾斜，所述n型包覆层的A1N摩尔分数为50％以上。
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公开(公告)号：CN104813492A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201480003211.9
申请日：2014-04-17
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/8192
摘要： 提供防止伴随紫外线发光动作的起因于封装树脂的电特性劣化的高品质、高可靠度的紫外线发光装置。其是具有包含氮化物半导体的紫外线发光元件2和被覆紫外线发光元件2的紫外线透过性的封装树脂3而成的紫外线发光装置，其中，封装树脂3内至少与紫外线发光元件2的焊盘电极16、17接触的特定部分3a为第一类型的非晶氟树脂，构成第一类型的非晶氟树脂的聚合物或共聚物的末端官能团是对构成焊盘电极16、17的金属不呈结合性的非反应性末端官能团。
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公开(公告)号：CN111052419A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201780094174.0
申请日：2017-08-30
IPC分类号： H01L33/52
摘要： 发光装置(1)具备基台(30)、倒装片安装于基台(30)上的氮化物半导体发光元件(10)、和密封氮化物半导体发光元件(10)的非晶质氟树脂。发光装置(1)具备防止因发光装置(1)的出厂后的热处理所致的非晶质氟树脂的形状变化的形状变化防止层(60)，形状变化防止层(60)由固化有热固化性树脂或紫外线固化树脂的层构成，该经固化的层直接被覆非晶质氟树脂的表面。
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公开(公告)号：CN107924970B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201680044344.X
申请日：2016-08-02
IPC分类号： H01L33/44 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L33/56
摘要： 防止伴随紫外线发光动作的起因于填充在电极间的树脂的电特性劣化。一种在基板(12)上具有紫外线发光元件的氮化物半导体晶圆，该紫外线发光元件具备：具有n型AlGaN层(16)、由AlGaN层构成的活性层(17)、p型AlGaN层(19、20)的半导体层叠部(21)；n电极(23)；p电极(22)；保护绝缘膜(24)；第1及第2镀覆电极(25、26)；以及氟树脂膜(27)，在第1区域(R1)的p型AlGaN层上表面形成p电极，在第2区域(R2)的n型AlGaN层上表面形成n电极，保护绝缘膜具有n电极和p电极的至少一部分露出的开口部，第1镀覆电极与第2镀覆电极隔离而与p电极接触，将第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分覆盖，第2镀覆电极与n电极接触，氟树脂膜(27)将第1及第2镀覆电极的侧壁面及间隙部(31)的底面覆盖。
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公开(公告)号：CN107408604B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580077786.X
申请日：2015-04-03
申请人： 创光科学株式会社
IPC分类号： H01L33/38 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L33/32 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/24 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2933/0016
摘要： 提供有效放出紫外线发光动作伴随的废热的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体紫外线发光元件具备：半导体层叠部(11)，其具备n型AlGaN层(6)、由AlGaN层构成的活性层(7)、以及p型AlGaN层(9、10)；n电极(13)；p电极(12)；保护绝缘膜(14)；以及第1镀敷电极(15)，由通过湿式镀敷法形成的铜或以铜为主成分的合金构成，在该氮化物半导体紫外线发光元件中，在第1区域(R1)形成半导体层叠部(11)，在其上表面形成p电极，在第2区域中n型AlGaN系半导体层(6)的上表面露出，在其上形成n电极(13)，保护绝缘膜(14)具有开口部以使n电极(13)的至少一部分和p电极(12)的至少一部分露出，第1镀敷电极(15)与n电极(13)的露出面分离，被形成为覆盖第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、以及与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分。
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公开(公告)号：CN109314167A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034026.X
申请日：2017-04-10
摘要： 防止非键合性的非晶态氟树脂的剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。用非晶态氟树脂(40)密封具备倒装芯片安装于基台(30)上的蓝宝石基板(11)的氮化物半导体紫外线发光元件(10)的紫外线发光装置(1)，其中，蓝宝石基板(11)的背面为外延生长等级的研磨面，或算术平均粗糙度Ra为25nm以上的粗面，且构成非晶态氟树脂(40)的聚合物或共聚物的结构单元具有含氟脂肪族环结构，非晶态氟树脂(40)之中，构成与发光元件(10)直接接触的第1树脂部分的聚合物或共聚物的末端官能团为全氟烷基，该第1树脂部分的重均分子量在蓝宝石基板(11)的背面为上述研磨面的情况下为230000以上，在蓝宝石基板(11)的背面为上述粗面的情况下为160000以上。
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公开(公告)号：CN109314166A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780033986.4
申请日：2017-02-27
IPC分类号： H01L33/56
摘要： 通过使用非键合性的非晶态氟树脂，防止因光化学反应而引起的电气特性的劣化及非晶态氟树脂的分解等，此外，防止该非晶态氟树脂剥离，提供高品质、高可靠度的紫外线发光装置。氮化物半导体紫外线发光装置(1)具备：基台(30)；在基台(30)上安装了倒装芯片的氮化物半导体紫外线发光元件；以及直接接触氮化物半导体紫外线发光元件并进行被覆的非晶态氟树脂(40)。氮化物半导体紫外线发光元件具备：蓝宝石基板(11)、层叠在蓝宝石基板(11)的主面上的多个AlGaN系半导体层(12)、n电极(13)、以及p电极(14)。非晶态氟树脂(40)的末端官能团为全氟烷基，非晶态氟树脂(40)进入至形成在蓝宝石基板(11)的侧面的凹部的内部。
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