公开(公告)号：CN101845670A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010111379.5

申请日：2006-03-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 特洛伊·J·贝克 ,  本杰明·A·哈斯克尔 ,  保罗·T·菲尼 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

公开(公告)号：CN101138091B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680007694.5

申请日：2006-03-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 特洛伊·J·贝克 ,  本杰明·A·哈斯克尔 ,  保罗·T·菲尼 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: H01L29/04

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。

公开(公告)号：CN101138091A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007694.5

申请日：2006-03-10

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 特洛伊·J·贝克 ,  本杰明·A·哈斯克尔 ,  保罗·T·菲尼 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  中村修二

IPC: H01L29/04

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{1011}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。