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公开(公告)号：CN102460739A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080031130.1
申请日：2010-06-07
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 阿尔潘·查克拉伯蒂 , 林佑达 , 中村修二 , 史蒂文·P·登巴尔斯
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2022 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3216
Abstract: 本文揭示生长于斜切非极性或半极性衬底上的激光二极管，其与常规激光二极管结构相比具有较低阈值电流密度和较长的受激发射波长，其中对于所述激光二极管：(1)n型层是在氮载气中生长，(2)量子阱层和障壁层与其它装置层相比以较慢生长速率生长(此使得p型层能够在较高温度下生长)，(3)高Al含量电子阻挡层使得在有源区域上方的层能够在较高温度下生长，且(4)不对称AlGaN SPSLS允许高Al含量p-AlGaN层的生长。使用各种其它技术来改进所述p型层的电导率并将接触层的接触电阻降到最低。
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公开(公告)号：CN101874307A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880117788.7
申请日：2008-12-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。
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公开(公告)号：CN102804322A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080034186.2
申请日：2010-06-16
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 任元彬 , 拉姆·谢莎德瑞 , 史蒂文·P·登巴尔斯
IPC: H01J1/62
CPC classification number: C09K11/772 , H01L33/504 , Y02B20/181
Abstract: 一种发蓝绿光的Ce3+活化的氟氧化物磷光体，其可与发光二极管LED一起用于固态照明应用中。所述发蓝绿光的Ce3+活化的氟氧化物磷光体表示为：(Sr1-x-yAEy)3(Al1-zTz)O4F:Ce3+x，其中0＜x≤0.3，0≤y≤1，AE包括至少一种选自周期表上的碱土金属的元素，例如Mg、Ca和Ba，0≤z≤1，且T包括至少一种选自Al、B、Ga和In的原子。所述发蓝绿光的Ce3+活化的氟氧化物磷光体可与另一磷光体组合以产生白光。具体说来，本发明提供通过将所述发蓝绿光的Ce3+活化的氟氧化物磷光体与近紫外UV LED和发红光磷光体或与近紫外LED和红黄光磷光体组合来产生白光。
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公开(公告)号：CN102598271A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049857.2
申请日：2010-11-03
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 弗雷德里克·F·兰格 , 雅各布·J·理查森 , 丹尼尔·B·汤普森 , 英格丽德·科斯洛 , 河俊硕 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 周司·中村
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L33/44 , H01L21/288 , H01L33/007 , H01L33/14 , H01L33/28 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明涉及制造具有改良光提取效率的发光二极管的方法，其包括通过从水性溶液生长多个氧化锌ZnO纳米棒在基于III-氮化物的LED的一个或一个以上表面上沉积所述ZnO纳米棒，其中所述表面与III-氮化物的c-平面表面不同且透射由所述LED生成的光。
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公开(公告)号：CN102597161A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080048794.9
申请日：2010-10-13
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 任元彬 , 拉姆·塞莎德里 , 史蒂文·P·登巴尔斯
CPC classification number: C09K11/772 , Y02B20/181
Abstract: 本发明揭示磷光体组合物，其包含介于Sr3AlO4F与Sr3SiO5之间的固溶体系列和介于Sr3AlO4F与GdSr2AlO5之间的固溶体系列。本发明还揭示使用所述磷光体组合物的白光发光LED。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108028297A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053755.5
申请日：2016-09-15
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 阿萨德·J·穆加尔 , 吴尚昊 , 史蒂文·P·登巴尔斯
Abstract: 一种在半导体材料上制造氧化锌ZnO导电薄膜的方法，包括在二极管上沉积掺杂的ZnO晶种层，其中所述ZnO晶种层形成与所述二极管的电触点；和在所述ZnO晶种层上沉积ZnO层，其中所述ZnO晶种层和所述ZnO层各自具有厚度、晶体质量以及掺杂级，使得(1)包括III族氮化物材料的二极管以施加在所述ZnO层和所述二极管两端的2.75伏或更小的导通电压导通，并且(2)包括所述ZnO层和所述二极管的结构的接触电阻与包括直接在没有所述ZnO晶种层的二极管上的所述ZnO层的结构的接触电阻相比较低。
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公开(公告)号：CN102598314A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049856.8
申请日：2010-10-27
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 马修·T·哈迪 , 林佑达 , 太田裕朗 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 周司·中村 , 凯瑟琳·M·凯尔克纳
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/1082 , H01S5/22 , H01S5/34333
Abstract: 一种光电子装置，其包括：有源区域和波导结构，所述波导结构用以提供对从所述有源区域所发射光的光学限制；位于所述装置的相对端上的一对小面，其具有相反表面极性；和已通过结晶学化学蚀刻工艺实施粗糙化的小面中的一者，其中所述装置为基于非极性或半极性(Ga，In，Al，B)N的装置。
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公开(公告)号：CN101138091B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680007694.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会 , 独立行政法人科学技术振兴机构
Inventor： 特洛伊·J·贝克 , 本杰明·A·哈斯克尔 , 保罗·T·菲尼 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 中村修二
IPC: H01L29/04
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{101 1}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号：CN101138091A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007694.5
申请日：2006-03-10
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
Inventor： 特洛伊·J·贝克 , 本杰明·A·哈斯克尔 , 保罗·T·菲尼 , 史蒂文·P·登巴尔斯 , 詹姆斯·S·斯佩克 , 中村修二
IPC: H01L29/04
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , Y10S438/938
Abstract: 本发明提供一种用于在斜切尖晶石衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜的方法，其中大面积的所述平坦半极性氮化物薄膜与所述衬底的表面平行。所述平坦薄膜和衬底为：(1)生长于沿特定方向斜切的{100}尖晶石衬底上的{1011}氮化镓(GaN)，(2)生长于{110}尖晶石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)，(3)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1122}氮化镓(GaN)，和(4)生长于{1100}蓝宝石衬底上的{1013}氮化镓(GaN)。
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公开(公告)号：CN101874307B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200880117788.7
申请日：2008-12-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。
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