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公开(公告)号:CN101874307A
公开(公告)日:2010-10-27
申请号:CN200880117788.7
申请日:2008-12-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法,其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面,借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。
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公开(公告)号:CN101874307B
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN200880117788.7
申请日:2008-12-01
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法,其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面,借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。
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