公开(公告)号：CN101874307A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117788.7

申请日：2008-12-01

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 钟弘 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  肯尼思·J·万波拉 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  中村秀治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。

公开(公告)号：CN101437987A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016381.0

申请日：2007-04-06

Applicant: 加利福尼亚大学董事会 ,  独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 桥本忠郎 ,  中村秀治 ,  齐藤真

IPC: C30B25/12 ,  C30B25/14

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B7/10 ,  C30B9/00

Abstract: 本发明揭示一种使用高压釜在超临界氨中生长氮化镓(GaN)晶体的方法。此将产生大表面积GaN晶体，其可包括钙、镁或钒或少于1％的铟。

公开(公告)号：CN101874307B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200880117788.7

申请日：2008-12-01

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 钟弘 ,  阿努拉格·蒂雅吉 ,  肯尼思·J·万波拉 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  中村秀治

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。可通过等离子辅助化学蚀刻、光刻之后进行蚀刻或纳米压印之后进行蚀刻来执行所述纹理化。

公开(公告)号：CN102449737A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080010051.2

申请日：2010-03-02

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 罗伯特·M·法雷尔 ,  迈克尔·伊萨 ,  詹姆斯·S·斯佩克 ,  史蒂文·P·登巴尔斯 ,  中村秀治

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供一种用于改进非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上的(Ga，Al，In，B)N薄膜的生长形态的方法，其中(Ga，Al，In，B)N薄膜直接生长于非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底或模板上，且生长期间所使用的载气的一部分由惰性气体构成。非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器可生长于依据本发明而生长的光滑的(Ga，Al，In，B)N薄膜上。