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公开(公告)号：CN106076926B
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201610444682.4
申请日：2016-06-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明提供了一种气泡清洗系统及方法，通过采用用于增压的气体通入清洗液容器中，从而实现对清洗液容器内加压的目的，通过采用调节PH值的气体通入清洗液溶液中，来调节清洗液溶液中清洗液的PH值，避免晶圆表面在清洗过程中产生的静电对晶圆造成的损伤，也即是调节PH值的气体具有中和晶圆表面在清洗过程中产生的静电的作用；并且，用于增压的气体进入清洗液中，使清洗液中充满气泡，这样从出水管道出来的充满气泡的清洗液喷射在晶圆上，既可以减少对晶圆表面图案的损伤，又可以提高颗粒去除效率。
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公开(公告)号：CN106098592A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610444470.6
申请日：2016-06-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明提供了一种微纳米气泡清洗晶圆的系统及方法，包括：液体管道，气体管道，气液混合泵，超纯水管道，与超纯水管道相连接的超纯水喷头，曝气装置；超纯水经超纯水管道和超纯水喷头后喷射在晶圆上，在晶圆表面形成超纯水膜；清洗液体通过液体管道进入气液混合泵；用于产生微纳米气泡的气体通过气体管道进入气液混合泵；气液混合泵将从液体管道出来的清洗液体和从气体管道出来的气体充分混合，且使该气体充分溶解于清洗液体中；曝气装置与气体混合泵相连通，充分混合的所述清洗液体和所述气体从气液混合泵出来后，经曝气装置释放后形成微纳米气泡喷射在晶圆表面的超纯水膜上，从而实现在不损伤晶圆表面图案的同时提高对晶圆表面颗粒的去除效果。
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公开(公告)号：CN104867849A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510282576.6
申请日：2015-05-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种防止晶片背面污染的装置，应用于半导体单片清洗设备，包括同心设于旋转卡盘上面的氮气盖，在氮气盖的上表面中部凸出设有一气体喷射机构，环绕气体喷射机构侧面均匀设有多个出气孔，出气孔按辐射状朝向位于其上方的晶片背面的边缘方向成一定上倾角度设置，既可不影响机械手取放晶片，又可使从出气孔喷射出的气体形成与晶片背面边缘相交的一圈倒伞形气体保护层，可保证晶片整个背面都得到气体的保护，并可有效阻挡回溅的清洗液，避免对晶片背面造成二次污染。
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公开(公告)号：CN103071638B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310043381.7
申请日：2013-01-30
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种雾化清洗装置和方法，该雾化清洗装置包括冷却结构、谐振雾化结构和气动雾化结构，所述谐振雾化结构固定于所述气动雾化结构之上，所述冷却结构固定于所述谐振雾化结构之上，所述谐振雾化结构包括换能器和谐振器，所述谐振器上设有排液孔，所述气动雾化结构上开有第二进液孔、第二进气孔和雾化喷射口，所述排液孔与所述第二进液孔相连，所述第二进液孔与所述雾化喷射口连通，所述第二进气孔和所述雾化喷射口连通。本发明的雾化清洗装置结构简单，集成度高，实现了喷射超微雾化液滴，工艺易实现，克服单纯的雾化机制产生大尺寸液滴或是喷射流，对65纳米及其以下工艺的硅片表面的图形造成严重损伤的问题。
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公开(公告)号：CN103071638A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310043381.7
申请日：2013-01-30
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种雾化清洗装置和方法，该雾化清洗装置包括冷却结构、谐振雾化结构和气动雾化结构，所述谐振雾化结构固定于所述气动雾化结构之上，所述冷却结构固定于所述谐振雾化结构之上，所述谐振雾化结构包括换能器和谐振器，所述谐振器上设有排液孔，所述气动雾化结构上开有第二进液孔、第二进气孔和雾化喷射口，所述排液孔与所述第二进液孔相连，所述第二进液孔与所述雾化喷射口连通，所述第二进气孔和所述雾化喷射口连通。本发明的雾化清洗装置结构简单，集成度高，实现了喷射超微雾化液滴，工艺易实现，克服单纯的雾化机制产生大尺寸液滴或是喷射流，对65纳米及其以下工艺的硅片表面的图形造成严重损伤的问题。
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公开(公告)号：CN106783538B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611095320.5
申请日：2016-12-01
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的流量清洗以在硅片表面形成均匀的较厚的去离子水液膜，避免了硅片表面与空气接触产生水痕和颗粒，从而可利用IPA较小的表面张力作用，以及氮气的吹淋作用对硅片表面进行快速干燥，实现了在IPA工艺后对硅片表面水痕和颗粒的有效减少。
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公开(公告)号：CN105070676B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510574861.5
申请日：2015-09-10
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法，通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
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公开(公告)号：CN105070676A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510574861.5
申请日：2015-09-10
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/67034
摘要： 本发明公开了一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法，通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
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公开(公告)号：CN104992898A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510282567.7
申请日：2015-05-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02052
摘要： 本发明公开了一种改善DHF腐蚀均匀性及控制腐蚀速率的方法，应用于在单片清洗机中将硅片放置在工艺腔室旋转的夹持结构上进行DHF清洗工艺，通过在同一步骤的工艺过程中，将硅片的转速通过工艺菜单调整为不同的转速进行对应不同时间的工艺，在第一步DHF清洗步骤，可使得DHF均匀地分布在硅片表面，加快新旧药液的交换，提高腐蚀效率和腐蚀的均匀性，在第二步去离子水清洗步骤，可先把硅片表面残留的DHF甩出，并使得去离子水可以快速覆盖到硅片表面，从而改善了DHF清洗工艺后硅片表面的腐蚀均匀性，同时腐蚀速率可控。
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公开(公告)号：CN106098592B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610444470.6
申请日：2016-06-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 刘效岩
摘要： 本发明提供了一种微纳米气泡清洗晶圆的系统及方法，包括：液体管道，气体管道，气液混合泵，超纯水管道，与超纯水管道相连接的超纯水喷头，曝气装置；超纯水经超纯水管道和超纯水喷头后喷射在晶圆上，在晶圆表面形成超纯水膜；清洗液体通过液体管道进入气液混合泵；用于产生微纳米气泡的气体通过气体管道进入气液混合泵；气液混合泵将从液体管道出来的清洗液体和从气体管道出来的气体充分混合，且使该气体充分溶解于清洗液体中；曝气装置与气体混合泵相连通，充分混合的所述清洗液体和所述气体从气液混合泵出来后，经曝气装置释放后形成微纳米气泡喷射在晶圆表面的超纯水膜上，从而实现在不损伤晶圆表面图案的同时提高对晶圆表面颗粒的去除效果。
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