公开(公告)号：CN118207625A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410509106.8

申请日：2024-04-25

Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 ,  中材人工晶体研究院有限公司

Inventor： 倪代秦 ,  赵鹏 ,  高崇 ,  何敬晖 ,  陈建荣 ,  杜洪兵

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/00

Abstract: 本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。

公开(公告)号：CN119372785A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411430656.7

申请日：2024-10-14

Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 ,  中材人工晶体研究院有限公司

Inventor： 周振翔 ,  承刚 ,  张怡 ,  王颖 ,  陈建荣 ,  吴宁 ,  杜洪兵

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/00

Abstract: 本申请实施例提供一种温场调控装置及单晶炉，该装置包括：坩埚、内反射屏和辅助侧反射屏，坩埚至少部分位于加热器内部，包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖内部用于设置籽晶，坩埚体包括上段、中段和下段，中段的内径大于上段和下段，中段包括与上段和下段内径一致的中间部和直径大于上段和下段的环形部，中间部和下段用于容纳原料；内反射屏设于环形部内，用于向远离坩埚体的方向反射热量；辅助侧反射屏设于坩埚外部，且支撑于中段上，辅助侧反射屏的顶端高于坩埚盖的顶端。该温场调控装置可以增大坩埚上段与下段之间的温度梯度，使得满足晶体生长的需要，提高晶体生长质量。