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公开(公告)号：CN114875481B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210600670.1
申请日：2022-05-30
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种物理气相传输法晶体生长炉、制备晶锭的方法及晶锭。其中，晶体生长炉包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉盖和炉底；位于炉体内部的保温层结构，位于保温层结构内部的加热器结构；位于加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖；芯冷吹气系统，包括芯冷吹气埚盖、多个芯冷出气通孔、芯冷吹气管和芯冷进气嘴；多个测温点，用于监测所述晶体生长炉中的温度。本申请通过物理气相传输法生长晶体，然后经退火处理得到晶锭。退火处理过程中通过芯冷吹气系统向晶锭的芯部吹气，始终让晶锭芯部的温度小于等于晶锭外表面的温度，实现了径向温度分布反转，改善晶锭退火处理过程中由于应力累积导致的晶锭开裂问题，从而提高了晶锭的成品率。
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公开(公告)号：CN116791203A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310763198.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种湿化学共沉淀法制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法，其以有机钛、NH4H2PO4和Rb2CO3为原料，采用湿化学共沉淀法和球磨法制备得到磷酸氧钛铷电光晶体生长原料。本申请提供的制备磷酸氧钛铷电光晶体生长原料的方法采用的原料价格低廉，操作简单、制备成本低；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体生长原料纯度高、均匀性好且重复性好；制备得到的磷酸氧钛铷电光晶体质量好，无晶界、条纹、散射颗粒等缺陷，光学性能好。
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公开(公告)号：CN116791191A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310786508.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的一侧的隔板及位于隔板靠近坩埚底壁的一侧的原料；隔板包括遮挡部和流通部，遮挡部为圆环形结构，遮挡部的外缘与坩埚侧周壁抵接，流通部用于升华气体通过；坩埚盖的内侧设有籽晶，坩埚内还设有导流罩，导流罩设于隔板远离坩埚底壁的一侧，用于将升华气体导向籽晶表面；导热件的制作材料为耐高温且不与AlN反应的金属材料。该装置能提高原料的温度分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN114775042A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210441154.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体生长用坩埚及晶体生长方法，晶体生长用坩埚包括坩埚本体，在坩埚本体的内部形成有主腔体室，在坩埚本体的底部设置有籽晶平台，坩埚本体的底部还设置有环绕所述籽晶平台布置且与主腔体室连通的低温引导室，低温引导室的高度低于籽晶平台，在低温引导室与籽晶平台之间形成低温引导室的入口，坩埚本体的侧壁由上至下包括第一部段和第二部段，第一部段呈圆筒状，在第一部段的内壁上设置有盛料装置，第二部段的内径由上至下逐渐减小，第二部段的下端延伸至低温引导室的入口，低温引导室的入口处为高温热区。低温引导室用于沉积杂质、多余组份和多晶，高温热区用于降低籽晶边缘处生长气体的饱和度，避免籽晶周围多晶的产生。
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公开(公告)号：CN114645328A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011518229.6
申请日：2020-12-21
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种PPKTP晶体的制备方法，在K4P2O7‑BaF2‑RbF助熔剂体系中直接生长获得PPKTP晶体，通过掺入Ba2+、Rb+，控制生长过程形成的K+空位‑O2‑空位浓度梯度，并利用SPWM波形调制信号实现温度周期涨落，结合合适的顶部籽晶生长技术工艺，使其在生长过程中依次形成自发极化方向交替变换的畴结构，从而生长出具有9.4μm左右的周期畴结构，占空比50％左右的KTP晶体，可加工成3‑8mm厚的大口径PPKTP准相位器件，在激光变频领域具有强大的竞争力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119433677A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411776252.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司 , 中国建材集团有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体及其生长方法，磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法包括以下步骤：原料合成：将Rb2CO3、NH4H2PO4、TiO2按摩尔比均匀混合，经高温固相烧结合成生长原料，置于坩埚中；充入高纯氩气：将坩埚放入晶体生长炉中，充入高纯氩气排出空气1‑3h，再将高纯氩气的流量恒定为1‑20L/min；高温反应：将生长原料进行高温处理，获得高温溶液；过热处理：将高温溶液进行过热处理，获得过热溶液；晶体生长：放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。通过上述设置，能够得到具有较高质量的磷酸氧钛铷电光晶体。
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公开(公告)号：CN119145050A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410751941.2
申请日：2024-06-12
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种铈锂共掺卤化镧闪烁晶体及其制备方法和用途。铈锂共掺卤化镧闪烁晶体的通式为Cex6LiyMzLa(1‑x‑y‑z)X3‑y，其中，0＜x≤0.2，0＜y≤0.05，0＜z≤0.01，M选自Na、Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的至少一种，X选自Cl或Br中的至少一种。通过在LaX3:Ce晶体中同时掺入6LiBr和MXa，其中a为1或2，利用6LiBr掺杂实现中子探测，利用MXa掺杂提升中子‑伽马甄别能力，二者协同作用，实现中子‑伽马双模探测，并进一步提升该闪烁晶体的中子‑伽马甄别能力和探测效率。该晶体还具有能量分辨率高、光输出高、衰减时间短等优点。
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公开(公告)号：CN118241299A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211655217.7
申请日：2022-12-22
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法，其采用Rb7P3O11‑BaF2助溶剂，Rb7P3O11助溶剂中[Rb]/[P]摩尔比为7/3；生长方法包括：将NH4H2PO4、Rb2CO3、TiO2、BaF2均匀混合，置于坩埚中，经熔融、冷却，获得生长原料；将生长原料进行高温处理，获得溶液；将溶液进行过热处理，获得过热溶液；放入籽晶，生长磷酸氧钛铷电光晶体。本申请提供的生长方法可以使生成态磷酸氧钛铷电光晶体的晶格更加完美，电导率达到1.0×10‑14S/cm‑6.0×10‑14S/cm，光学电学性能优良，可以满足65℃以上的高温使用环境和MHz高重复频率使用，晶体使用寿命长且工作稳定性高。
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公开(公告)号：CN118207625A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410509106.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 北京中材人工晶体研究院有限公司 , 中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
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公开(公告)号：CN117966249A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410115477.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 中材人工晶体研究院有限公司 , 北京中材人工晶体研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种紫外非线性光学CLBO晶体助熔剂及晶体生长方法。采用LiVO3作为助熔剂，一方面LiVO3助熔剂可以有效打断B‑O键链，降低硼酸盐熔体的粘度(小于500cP)，降低晶体生长温度(650‑678℃)，大大减少高温溶液的挥发，且不会引入杂质离子到晶体中，提高了晶体光学质量，同时溶液透明，生长期间可以实时观察，挥发极小，不产生漂晶；采用合适生长工艺，生长出尺寸为84mm×82mm×52mm完全透明的高光学质量CLBO晶体，晶体透过率，从深紫外波段晶体透过率波段到近红外波段，210nm‑1100nm不小于90％，抗激光损伤阈值达到10.98J/cm2@1ns,355nm。
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