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公开(公告)号：CN110995188B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201911245331.0
申请日：2019-12-06
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；有机材料的封盖层，位于键合层上。依照本发明的谐振器封装结构，采用沉积工艺制备的键合层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，再结合有机封盖层以降低成本、简化工艺并提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN113556095A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110835188.1
申请日：2021-07-23
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
摘要： 一种电容性交叉耦合声学滤波器，包括：串联主回路，在输入端子和输出端子之间，由m个第一声学谐振器串联构成；n个并联支路，一端连接至相邻的第一声学谐振器之间的m‑1个节点处和/或串联主回路首末端，另一端接地；n个并联支路依次编号，每个并联支路包括至少一个第二声学谐振器；至少2个耦合支路，连接n个并联支路的一端，第一端所连接的并联支路的编号与第二端所连接的并联支路的编号之间的差值大于等于2；至少一条耦合支路的的第一端连接在另一条耦合支路的第一端和第二端之间，且第二端连接在该另一条耦合支路的第一端和第二端之外。依照本发明的声学滤波器，增加额外的传输零点，通带两侧的抑制增加并且带内插损优化。
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公开(公告)号：CN113556095B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202110835188.1
申请日：2021-07-23
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
摘要： 一种电容性交叉耦合声学滤波器，包括：串联主回路，在输入端子和输出端子之间，由m个第一声学谐振器串联构成；n个并联支路，一端连接至相邻的第一声学谐振器之间的m‑1个节点处和/或串联主回路首末端，另一端接地；n个并联支路依次编号，每个并联支路包括至少一个第二声学谐振器；至少2个耦合支路，连接n个并联支路的一端，第一端所连接的并联支路的编号与第二端所连接的并联支路的编号之间的差值大于等于2；至少一条耦合支路的的第一端连接在另一条耦合支路的第一端和第二端之间，且第二端连接在该另一条耦合支路的第一端和第二端之外。依照本发明的声学滤波器，增加额外的传输零点，通带两侧的抑制增加并且带内插损优化。
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公开(公告)号：CN216565091U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202122197818.5
申请日：2021-09-10
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本实用新型实施例公开了一种体声波谐振器以及通信器件。该体声波谐振器包括：基底，所述基底的表面或者内部设置有声反射结构；支撑层，所述支撑层位于所述基底的表面，覆盖所述声反射结构；谐振单元，所述谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，所述底电极包括N边形，所述N的取值大于或等于3，所述底电极至少有一个第一边，所述第一边在所述基底的投影位于所述声反射结构在所述基底的投影之内。本实用新型实施例提供的技术方案，提高了体声波谐振器的品质因数、机电耦合系数，并增强了其结构稳定性。
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