公开(公告)号：CN110995188B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201911245331.0

申请日：2019-12-06

申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司

发明人： 王家友 ,  唐滨 ,  唐兆云 ,  赖志国 ,  杨清华

IPC分类号： H03H3/007 ,  H03H3/02 ,  H03H9/46 ,  H03H9/54

摘要： 本发明公开了一种谐振器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；有机材料的封盖层，位于键合层上。依照本发明的谐振器封装结构，采用沉积工艺制备的键合层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，再结合有机封盖层以降低成本、简化工艺并提高了封装可靠性。

公开(公告)号：CN116094484A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211501578.6

申请日：2022-11-28

申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司

发明人： 唐滨 ,  杨清华 ,  赖志国

IPC分类号： H03H9/17 ,  H03H3/02

摘要： 本公开提供一种体声波谐振器、电子设备及其制造方法，体声波谐振器包括：衬底、声波反射区域、堆叠组件以及质量负载，声波反射区域形成在衬底中或衬底上；堆叠组件包括设置于声波反射区域上方的下电极、压电层和上电极；上电极、压电层和下电极构成堆叠组件的叠层结构；声波反射区域、上电极、压电层和下电极之间的重叠区域定义为声波谐振器的有源区域；质量负载是通过离子注入在有源区域内的堆叠组件中形成的。本公开的制作方法能精确调节频率；能利用体声波谐振器既有结构特征形成质量负载且不破坏该既有结构特征的表面形态；不对后续工艺造成影响。

公开(公告)号：CN216565091U

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202122197818.5

申请日：2021-09-10

申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司

发明人： 唐滨 ,  赖志国 ,  杨清华 ,  唐兆云

IPC分类号： H03H9/02

摘要： 本实用新型实施例公开了一种体声波谐振器以及通信器件。该体声波谐振器包括：基底，所述基底的表面或者内部设置有声反射结构；支撑层，所述支撑层位于所述基底的表面，覆盖所述声反射结构；谐振单元，所述谐振单元包括依次叠层设置的底电极、压电层和顶电极，所述底电极包括N边形，所述N的取值大于或等于3，所述底电极至少有一个第一边，所述第一边在所述基底的投影位于所述声反射结构在所述基底的投影之内。本实用新型实施例提供的技术方案，提高了体声波谐振器的品质因数、机电耦合系数，并增强了其结构稳定性。