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公开(公告)号：CN109150115A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810861529.0
申请日：2018-08-01
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/0211 , H03F1/302 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
摘要： 本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。
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公开(公告)号：CN104065395A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410245368.4
申请日：2014-06-04
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 本发明提供了一种射频前端装置，包括至少两路射频收发通路，每一所述射频收发通路包括功率放大器、匹配网络、开关组以及滤波器，其中：所述功率放大器的输入端输入射频信号，以及该功率放大器的输出端连接所述匹配网络的输入端；所述开关组包括第一单刀单掷开关、第二单刀单掷开关以及隔直器件；所述第一单刀单掷开关的一端连接所述匹配网络的输出端，所述第一单刀单掷开关的另一端分别与所述滤波器的输入端以及所述隔直器件的一端连接，所述隔直器件的另一端分别与所述第二单刀单掷开关的一端以及射频信号接收端连接，所述第二单刀单掷开关的另一端接地。本发明可以有效降低整个射频前端装置的成本、提高射频开关隔离度以及提高射频前端装置的集成度。
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公开(公告)号：CN105305990B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510907131.2
申请日：2015-12-09
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
IPC分类号： H03G3/20
摘要： 本申请提供了一种由电流控制环路和电压控制环路构成的功率放大器的功率控制电路，其电压控制环路构成一个LDO电路，不需要大的LDO，无需大PMOS管供电，降低了尺寸与成本，且不会影响功率放大器的效率；其电流控制环路不需使用精确的Sense采样电阻，有助于提高芯片集成。该功率控制电路综合电压控制技术和电流控制技术的优势，在输出电路开始工作且电流控制环路稳定前，由电压控制环路来控制功率放大器的输出功率，而后电压控制环路与电流控制环路共同控制功率放大器的输出功率，当电流控制环路稳定后，由电流控制环路控制功率放大器的输出功率，从而实现从输出电流开始工作至工作结束过程中对功率放大器输出功率的控制。
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公开(公告)号：CN105305990A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510907131.2
申请日：2015-12-09
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
IPC分类号： H03G3/20
摘要： 本申请提供了一种由电流控制环路和电压控制环路构成的功率放大器的功率控制电路，其电压控制环路构成一个LDO电路，不需要大的LDO，无需大PMOS管供电，降低了尺寸与成本，且不会影响功率放大器的效率；其电流控制环路不需使用精确的Sense采样电阻，有助于提高芯片集成。该功率控制电路综合电压控制技术和电流控制技术的优势，在输出电路开始工作且电流控制环路稳定前，由电压控制环路来控制功率放大器的输出功率，而后电压控制环路与电流控制环路共同控制功率放大器的输出功率，当电流控制环路稳定后，由电流控制环路控制功率放大器的输出功率，从而实现从输出电流开始工作至工作结束过程中对功率放大器输出功率的控制。
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公开(公告)号：CN205178999U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201521016480.7
申请日：2015-12-09
申请人： 北京中科汉天下电子技术有限公司
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本申请提供了一种功率放大器的功率控制电路，该功率控制电路中，Vramp信号通过缓冲电路后再与第二运算放大器相连，从而使得Vramp信号在控制环路外，进而降低Vramp信号对控制环路的影响，提升了环路稳定性，并且，不再使用现有技术中的PMOS镜像单元，而是将采集到的电流信号经电阻转换为电压信号后，直接输入到第二运算放大器的输入端，从多个方面减少了环路极点的个数，极点数目减少易于实现环路的稳定性补偿，从而便于设计增加环路带宽，减少环路稳定时间，避免影响手机功率切换时的开关谱性能。并且，第二运算放大器输出接NMOS管，有助于提高环路的电源抑制比。
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