公开(公告)号：CN106357226A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610403198.7

申请日：2016-06-08

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 长谷昌俊

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/21

CPC分类号： H03F1/302 ,  H01L23/66 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/737 ,  H03F3/19 ,  H03F3/191 ,  H03F3/195 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H03G3/3042 ,  H04B2001/0408 ,  H04W88/02 ,  H03F3/21

摘要： 本发明提供一种能抑制温度变化引起的增益变动并能抑制电路规模增大的功率放大模块，其包括：第一双极晶体管，基极被输入无线电频率信号，从集电极输出放大信号；第二双极晶体管，与第一双极晶体管热耦合，基极被输入无线电频率信号，并且模拟第一双极晶体管的动作；第三双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第一控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；第一电阻器，第一端子被提供第二控制电压，第二端子与第二双极晶体管的集电极连接，在第二端子生成第三控制电压；以及第四双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第三控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。

公开(公告)号：CN102811023B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201210172596.4

申请日：2012-05-30

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 冈村笃司 ,  山本和也 ,  松塚隆之

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/211 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F1/32 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/93

摘要： 本发明提供一种即使在中低输出工作时也能使工作效率充分提高的功率放大器。给放大元件(Tr1、Tr2)的基极输入输入信号，并且给集电极施加集电极电压，发射极接地。偏置电路(Bias1、Bias2)给放大元件(Tr1、Tr2)的基极供给偏置电流。偏置电路(Bias1、Bias2)具有当集电极电压变得比规定的阈值低时使偏置电流降低的偏置电流降低电路(12)。

公开(公告)号：CN104508975A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380037566.5

申请日：2013-06-13

申请人： 天工方案公司

发明人： D.S.里普利 ,  P.J.莱托拉 ,  P.J.赞帕迪 ,  H.邵 ,  T.M.科 ,  M.T.奥扎拉斯

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F3/19

CPC分类号： H03F3/195 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7304 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/8605 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/665 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H03F1/302 ,  H03F3/191 ,  H03F3/21 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/555 ,  H04B1/3827 ,  H04B1/40 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。

公开(公告)号：CN102640416B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080054180.1

申请日：2010-11-23

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杨志坚 ,  王平川 ,  冯凯棣

IPC分类号： H03F1/30

CPC分类号： H03F1/302

摘要： 一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。

公开(公告)号：CN103944520A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310706206.1

申请日：2013-12-16

申请人： 台扬科技股份有限公司

发明人： 刘明奇

IPC分类号： H03F3/189 ,  H03F1/32

CPC分类号： H03F1/302 ,  H03F3/245

摘要： 一种电流源电路及射频信号放大系统，该电流源电路包括：第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1以及第二电阻R2。第一晶体管Q1具有与电源电压（VCC）耦接的第一端子（集电极）、与第一电阻R1耦接的第二端子（基极）以及与第二电阻R2耦接的第三端子（发射极）。第二晶体管Q2具有与第一晶体管Q1的第二端子耦接的第一端子、与第一晶体管Q1的第三端子耦接的第二端子以及与滤波电路39耦接的第三端子。第一电阻R1耦接在电源电压与第一晶体管Q1的第二端子之间。第二电阻R2耦接在第一晶体管Q1的第三端子与滤波电路39之间。该电路能够限制放大器的输出功率而不会对波形PAR造成限幅，而是限制平均功率，从而防止对后级放大器的过驱动或过功率输入。

公开(公告)号：CN101164231B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200680003471.1

申请日：2006-01-24

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 埃夫西米奥斯·奇利乌克斯

IPC分类号： H03G3/30 ,  H03F1/32 ,  H03F1/30

CPC分类号： H03F1/302 ,  H03F1/32 ,  H03F2200/211 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/36 ,  H03F2200/372

摘要： 一种具有输入级(LNA)的接收器，所述输入级(LNA)在从输入(SI)到输出(SO)的信号方向上包括：输入晶体管(Q1)和衰减器(D1、D2、R7-R12、C2-C5)。所述衰减器提供取决于控制信号(VDC)的衰减。所述输入级包括晶体管偏置电路(R2)，所述晶体管偏置电路(R2)根据所述控制信号来偏置所述输入晶体管。

公开(公告)号：CN1619950B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200410102328.0

申请日：2004-11-01

申请人： 夏普株式会社

发明人： 川村博史

IPC分类号： H03G3/10

CPC分类号： H03G1/007 ,  H03F1/22 ,  H03F1/302 ,  H03G1/0082

摘要： 可变放大器包含并联连接在输入端子(INPUT)以及输出端子(OUTPUT)之间、用于放大信号的多个双极型晶体管(Q1～Q3)，该晶体管(Q1～Q3)的发射极被接地，从输入端子(INPUT)经由晶体管(Q1～Q3)到达输出端子(OUTPUT)的多个信号路径具有相互不同的特性，还包括控制流过各晶体管(Q1～Q3)的基极的电流，以使可变放大器整体的特性变化的基极电流控制电路。由此，可直接连接到天线或与其连接的滤波器等单端信号源，不使用平滑-不平衡变换器等而可以直接装载在携带无线终端的接收电路中。可以提供可直接连接到单端信号源的可变放大器，以及减少接收电路的安装面积和厚度，同时接收灵敏度等特性优良的携带无线终端。

公开(公告)号：CN101557199A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910126554.5

申请日：2009-03-12

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 松田慎吾 ,  牧原弘和 ,  立冈一树 ,  稻森正彦

IPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/30

CPC分类号： H03F3/245 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/447

摘要： 本发明的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：集电极端子连接于第1电源的第2晶体管；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端接地的第2电阻元件；设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件；以及连接在第2晶体管的基极端子上，控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。

公开(公告)号：CN100536323C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN01810964.0

申请日：2001-08-20

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 山下喜市 ,  田上知纪 ,  太部功 ,  关根健治

IPC分类号： H03F1/52

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F3/347 ,  H03F2200/444

摘要： 提供一种在具有高效率、高破坏耐量并同时具有对于在负载变动时从天线端部等反射而产生的驻波中保护放大器件不受破坏的功能的功率放大器模块。通过对最末级放大GaAs-HBT的基极过电流进行检测和抵消而予以限制，可以预防集电极电流的增加而防止破坏。并且，通过同时采用相应于电源电压提高而递降无功电流的功能和与输出级GaAs-HBT并联的二极管的削波功能，可避免输出级GaAs-HBT上承受超过需要的电压及电流。并且，对GaAs-HBT及基极电流供给源的制造偏差及温度变动抵抗力强而成本低。

公开(公告)号：CN100477499C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200380106760.0

申请日：2003-11-20

申请人： NXP股份有限公司

发明人： A·范贝佐詹 ,  D·P·普里霍德科

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F3/191 ,  H03F3/24

摘要： 一种功率放大器(100)，用于移动无线通信设备，该移动无线通信设备具有第一级(1)和可选的第二级(2)，每一级都包括一个偏压电路(4、5)。为了提供精确限定的增益特征，在第一级(1)中，把偏压电流(Ib1)馈给信号放大晶体管(T1)。第一偏压电路(4)包括与电流镜(40)耦合的非线性的电压/电流转换器(41)。为了适于其他应用，例如需要不同的偏压的GSM和UMTS，可以并联多个电压/电流转换器(41、42)。