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公开(公告)号：CN107808848B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN201711223776.X
申请日：2017-11-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683
摘要： 本公开提供了一种静电卡盘和半导体设备，支撑组件包括基座和功能部，卡盘本体，通过紧固件固定于基座，卡盘板体包括主体部，主体部背离基座的表面设有凸部，凸部的上表面用于支撑待加工工件；主体部朝向基座的表面设有凹部，凹部和基座构成的空间用于容置功能部和与功能部连接的管线。本公开提高了卡盘本体的结构强度，避免出现烧结不透彻，陶瓷颗粒大小不均匀，影响卡盘本体的强度和力学性能的情况，可有效防止微细裂纹的扩散，增大了卡盘本体的断裂强度，使卡盘本体的强度达到可以抵抗剪切力的程度。
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公开(公告)号：CN112458440A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011296600.9
申请日：2020-11-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备的反应腔室、半导体工艺设备和膜层沉积方法，其中，反应腔室包括：监测模块、沉积模块以及控制模块；沉积模块用于在一个沉积周期中执行多次沉积步骤，每次沉积步骤均包括：向反应腔室中通入前驱体以及对反应腔室施加射频电场，以在反应腔室中生成等离子体，并通过等离子体在待加工工件上沉积目标膜层；监测模块用于在沉积模块每次执行沉积步骤时，监测反应腔室中等离子体光源的亮度，并根据等离子体光源的亮度，生成第一信号；控制模块用于根据第一信号，判断沉积模块所沉积的目标膜层的厚度是否异常，若是，则发出异常报警信号。本发明有利于改善目标膜层的厚度与目标厚度产生偏差的问题。
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公开(公告)号：CN110484895B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201810457537.9
申请日：2018-05-14
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/517
摘要： 本发明提供一种腔室组件及反应腔室，该腔室组件包括：电极板，其与射频源电连接，且在电极板上设置有进气口；匀流部件，其采用绝缘材料制作，且与电极板共同构成匀流空间，进气口与匀流空间连通，并且在匀流部件上设置有多个出气口，出气口分别与匀流空间和反应腔室连通。本发明提供的腔室组件，其避免产生空心阴极放电，从而可以提高等离子体的稳定性。
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公开(公告)号：CN109868459A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711266540.4
申请日：2017-12-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种半导体设备，包括：沉积腔室，用于对衬底进行沉积工艺，形成沉积层；表面处理腔室，用于对沉积层进行表面钝化或刻蚀工艺处理；远程等离子体源，共用于沉积腔室和表面处理腔室，用于向表面处理腔室通入第一等离子体，以对沉积层进行表面钝化处理或刻蚀工艺，以及用于对沉积腔室通入第二等离子体，以对沉积腔室进行清洗。本发明通过设置单独的表面处理腔室进行表面钝化工艺，可简化现有沉积工艺腔室结构，拓宽沉积工艺和表面处理工艺的工艺窗口，并通过使沉积腔室和表面表面处理腔室共用一个远程等离子体源，可提升远程等离子体源的利用率，降低表面钝化或刻蚀工艺腔室的整体成本。
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公开(公告)号：CN106298615B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510283132.4
申请日：2015-05-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 师帅涛
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种静电卡盘、反应腔室及半导体加工设备，静电卡盘包括：第一采集电路，用于采集正电极上的第一信号，并将采集到的第一信号发送至第一峰值检测电路；第一峰值检测电路，用于检测第一信号在正半周或负半周的第一幅值，并将第一幅值发送至处理电路；第二采集电路，用于采集负电极上的第二信号，并将采集到的第二信号发送至第二峰值检测电路；第二峰值检测电路，用以检测第二信号的在负半周或正半周的第二幅值，并将第二幅值发送至处理电路；处理电路，用于将第一幅值和第二幅值矢量叠加并取一半发送至直流电源的电压参考端。该静电卡盘不仅可以避免承载体内和基片背面发生打火，还可以简化静电卡盘的制造过程和降低制造成本。
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公开(公告)号：CN108666197A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710208662.1
申请日：2017-03-31
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
发明人： 师帅涛
摘要： 本发明提供一种脉冲功率源和半导体设备，利用连续波功率源代替现有的射频脉冲电源，并令其输出的连续波功率信号先经过匹配器，使得匹配器内的阻抗检测装置能检测到连续的电压电流信号，从而避免阻抗失配的问题，之后，再利用功率分配器将匹配后的连续波功率信号分解为至少两路信号，一路信号经由移相器移相后再与其余的信号叠加，得到射频脉冲信号，这样，既能够产生射频脉冲信号，利用脉冲射频能量进行工艺降低等离子体诱导损伤，又能够保证阻抗匹配，提高匹配器的稳定性，从而进一步提高反应腔室的阻抗稳定性，尤其是在低占空比和高脉冲频率的情况下，提高匹配器的稳定性的效果更明显。
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公开(公告)号：CN112458440B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011296600.9
申请日：2020-11-18
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种半导体工艺设备的反应腔室、半导体工艺设备和膜层沉积方法，其中，反应腔室包括：监测模块、沉积模块以及控制模块；沉积模块用于在一个沉积周期中执行多次沉积步骤，每次沉积步骤均包括：向反应腔室中通入前驱体以及对反应腔室施加射频电场，以在反应腔室中生成等离子体，并通过等离子体在待加工工件上沉积目标膜层；监测模块用于在沉积模块每次执行沉积步骤时，监测反应腔室中等离子体光源的亮度，并根据等离子体光源的亮度，生成第一信号；控制模块用于根据第一信号，判断沉积模块所沉积的目标膜层的厚度是否异常，若是，则发出异常报警信号。本发明有利于改善目标膜层的厚度与目标厚度产生偏差的问题。
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公开(公告)号：CN112760609B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202011530202.9
申请日：2020-12-22
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
摘要： 本发明提供一种磁控溅射设备，包括工艺腔室、偏压电源组件和激励电源组件，工艺腔室中设置有基座组件和偏压导入组件，工艺腔室的顶部设置有靶材，其中，基座组件位于工艺腔室的底部，用于支撑晶片承载件，驱动晶片承载件移动，以及加热晶片承载件；偏压导入组件位于基座组件上，用于支撑晶片承载件，并且偏压导入组件与晶片承载件电接触；偏压电源组件与偏压导入组件电连接，用于通过偏压导入组件向晶片承载件加载偏置电压；激励电源组件与靶材电连接，用于向靶材加载激励电压。本发明提供的磁控溅射设备能够降低生产及维护成本，并避免晶片在不同的工艺腔室之间传输，从而缩短工艺时间并提高产能。
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公开(公告)号：CN114899141A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210585258.7
申请日：2022-05-27
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/34 , C23C14/50 , C23C14/35 , C23C14/54
摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置包括：托盘、基座及顶针组件；托盘上设置有承载结构，承载结构沿竖直方向贯穿托盘，用于在水平方向上承载多个晶圆；基座上设置有顶抵结构，顶抵结构与承载结构对应设置，用于在托盘叠置于基座上时，穿过承载结构以承载多个晶圆，并且能使多个晶圆均朝向基座的中心倾斜一预设角度；顶针组件设置于基座的底部，用于带动托盘相对于基座升降，以使托盘能选择性位于基座上方，或者叠置于基座上。本申请实施例实现了多个晶圆的膜厚均匀性较高，以及使得多个晶圆之间的膜厚均匀性较佳，进而大幅提高产品良率。
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公开(公告)号：CN109868458B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN201711267826.4
申请日：2017-12-05
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种半导体设备的清洗系统及清洗方法，清洗系统包括反应腔室、远程等离子体源、原位等离子体源、第一清洗通道和第二清洗通道，可通过第一清洗通道对反应腔室内的反应区域通入激发态清洗气体进行清洗，以及通过第二清洗通道对反应腔室内的非反应区域通入激发态清洗气体进行清洗。本发明通过把远程等离子体清洗方法和原位等离子体清洗方法相结合，采用先用大功率的远程等离子体清洗反应腔室，再用小功率的原位等离子体清洗腔室的方法；或者采用同时使用高气压的远程等离子体和低气压的原位等离子体对腔室进行清洗的方法，可精确控制清洗时间，减少清洗气体的使用量，降低生产成本，并可延长人工PM周期，节约维护成本。
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