公开(公告)号：CN117913141A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311832035.7

申请日：2023-12-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 熊雄 ,  刘视远 ,  吴燕庆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种二维半导体垂直型沟道场效应晶体管及制备方法。该场效应晶体管的源栅漏通过微纳加工工艺预先垂直堆叠在基底上，沟道采用二维半导体材料，通过化学气相沉积方法沿着源漏电极垂直外延在叠层侧壁上，形成垂直沟道结构。器件的沟道长度为源漏电极之间的垂直间距，栅长为栅电极的厚度。相较于传统平面半导体器件，该垂直型沟道场效应晶体管的设计可不受CPP设计规则约束，大幅减少器件面积，均匀控制沟道长度，在提高集成密度上具有巨大的潜力。

公开(公告)号：CN119008531A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411121502.X

申请日：2024-08-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴燕庆 ,  胡倩澜 ,  刘视远 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种环栅堆叠纳米片场效应晶体管的制备方法，属于半导体器件领域。本发明制备方法包括：绝缘衬底清洗；牺牲层沉积；氧化物半导体沟道材料沉积；重复沉积牺牲层及沟道材料；沟道隔离区定义及刻蚀：源漏接触电极定义及沉积；高选择比刻蚀牺牲层，形成带有悬空空间的多层纳米片结构；栅极氧化层沉定义及沉积；栅极金属电极定义及沉积，最后刻蚀堆叠栅极，形成环栅堆叠纳米片场效应晶体管。本发明通过高刻蚀选择比刻蚀工艺去除牺牲层以实现悬空空间，通过垂直堆叠结构提高了器件性能和器件密度，为环栅堆叠纳米片场效应晶体管的工业化应用提供了可行的技术路径。

公开(公告)号：CN116926672A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210359112.0

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴燕庆 ,  王欣 ,  刘视远

IPC: C30B28/12 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法，得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距，从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层，金属铂位于上层，二者垂直堆叠，通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延，从而降低了异质结的接触电阻。本发明提出的方法，解决了高定向金属薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、成本高的问题。二硒化钨场效应晶体管为PMOS，通过本发明方法实现了半导体二维材料与金属的高质量接触，有利于降低接触电阻，与NMOS场效应晶体管形成互补，有利于提高纳米片CMOS器件的性能。