-
公开(公告)号：CN113193037A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
-
公开(公告)号：CN101030455A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610058714.3
申请日：2006-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种先对光纤进行预处理再用HF酸进行腐蚀制备近场光纤探针的方法。在预处理过程中，首先利用HF酸腐蚀或加热拉制的方法对光纤进行加工，使其形成一定锥角且前端直径减小，再利用有机溶剂溶解塑料所得的塑料溶液或对塑料进行加热所得的熔融塑料包裹在光纤具有锥角的部分上，最后等塑料溶液的溶剂挥发或熔融塑料冷却凝固后在光纤表面形成塑料膜；在腐蚀制备过程中，将经过预处理的光纤插入带有油保护层的HF酸中进行腐蚀，腐蚀完成后利用有机溶剂溶解或浓硫酸腐蚀或机械方法去除光纤表面塑料膜即可得到探针。该方法第一次实现了小尺度范围内(小于普通光纤直径)的腐蚀，所制备出的探针尖端直径小，表面光滑、锥角大且形状确定。
-
公开(公告)号：CN100573733C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610058714.3
申请日：2006-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种先对光纤进行预处理再用HF酸进行腐蚀制备近场光纤探针的方法。在预处理过程中，首先利用HF酸腐蚀或加热拉制的方法对光纤进行加工，使其形成一定锥角且前端直径减小，再利用有机溶剂溶解塑料所得的塑料溶液或对塑料进行加热所得的熔融塑料包裹在光纤具有锥角的部分上，最后等塑料溶液的溶剂挥发或熔融塑料冷却凝固后在光纤表面形成塑料膜；在腐蚀制备过程中，将经过预处理的光纤插入带有油保护层的HF酸中进行腐蚀，腐蚀完成后利用有机溶剂溶解或浓硫酸腐蚀或机械方法去除光纤表面塑料膜即可得到探针。该方法第一次实现了小尺度范围内(小于普通光纤直径)的腐蚀，所制备出的探针尖端直径小，表面光滑、锥角大且形状确定。
-
公开(公告)号：CN113193037B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.07 seconds)
