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公开(公告)号：CN109787088B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910004608.4
申请日：2019-01-03
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分，精确调控有源区的结构及发光波段，实现宽波段高效紫外光源；激励源采用电子束泵浦激励方式，该结构无需多结欧姆接触层，与传统LED结构相比结构简单，有效提高空穴注入效率；原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率，进而实现在深紫外波段的高光效输出；同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度，优化多量子阱的总厚度，既能保证电子束不会穿透光源的有源区，又能保证有源区的材料质量；采用III‑V族或II‑VI族半导体材料，实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。
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公开(公告)号：CN109524511B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201811248128.4
申请日：2018-10-25
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺寸能够在初始外延生长中得到精确控制，而横向尺寸则能够在基于各向异性热蒸发的再构过程中得到有效控制；再构量子点的横向尺寸，通过各向异性热蒸发调控，能够突破纳米线横向尺寸的禁锢，甚至实现极端尺寸(
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公开(公告)号：CN109524511A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811248128.4
申请日：2018-10-25
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种纳米线耦合量子点结构及其制备方法。本发明采用在生长衬底上生长纳米线形成纳米线基板，然后生长量子点结构，再通过原位热蒸发处理从侧壁缩小横向尺度，得到再构量子点结构，最后原位生长修复层；本发明的量子点的纵向尺寸能够在初始外延生长中得到精确控制，而横向尺寸则能够在基于各向异性热蒸发的再构过程中得到有效控制；再构量子点的横向尺寸，通过各向异性热蒸发调控，能偶突破纳米线横向尺寸的禁锢，甚至实现极端尺寸(
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公开(公告)号：CN107793387B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610802182.3
申请日：2016-09-05
申请人： 北京大学
IPC分类号： C07D307/79 , C07D307/91 , C07F7/18
摘要： 本发明公开了两个C‑H键通过氧化偶联构建二氢苯并呋喃骨架化合物的方法。该方法通过将烷氧基取代的苯甲酸类衍生物中芳环上羧基邻位的碳氢键C(sp2)‑H和烷氧基上的碳氢键C(sp3)‑H进行分子内碳‑氢键氧化偶联反应构建碳碳键，得到所述二氢苯并呋喃骨架化合物。本发明方法具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109787088A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910004608.4
申请日：2019-01-03
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种宽波段高效紫外光源及其制备方法。本发明通过控制多个顺次排列的多量子阱的厚度或元素组分，精确调控有源区的结构及发光波段，实现宽波段高效紫外光源；激励源采用电子束泵浦激励方式，该结构无需多结欧姆接触层，与传统LED结构相比结构简单，有效提高空穴注入效率；原子层或亚原子层的超薄势阱有效提高辐射复合几率，进而实现在深紫外波段的高光效输出；同时通过调控量子阱的周期数及势阱厚度，优化多量子阱的总厚度，既能保证电子束不会穿透光源的有源区，又能保证有源区的材料质量；采用III-V族或II-VI族半导体材料，实现几乎覆盖UVC、UVB全波段的高效紫外光源。
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公开(公告)号：CN113193037B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN107793387A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610802182.3
申请日：2016-09-05
申请人： 北京大学
IPC分类号： C07D307/79 , C07D307/91 , C07F7/18
摘要： 本发明公开了两个C-H键通过氧化偶联构建二氢苯并呋喃骨架化合物的方法。该方法通过将烷氧基取代的苯甲酸类衍生物中芳环上羧基邻位的碳氢键C(sp2)-H和烷氧基上的碳氢键C(sp3)-H进行分子内碳-氢键氧化偶联反应构建碳碳键，得到所述二氢苯并呋喃骨架化合物。本发明方法具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN113193037A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110354520.2
申请日：2021-04-01
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种Ga2O3基共振隧穿二极管及其制备方法。本发明采用Ga2O3有源区双势垒结构，集电极势垒层的Al组分大于发射极势垒层的Al组分，使得具有超大的禁带宽度和击穿场强，在更高电压下会出现更多微分负阻现象，器件更适合高功率工作并提高了峰谷电流比值；利用Ga2O3材料具有无自发极化的特点，极大弱化发射极产生电荷积累区和集电极产生电荷耗尽区，提高器件的稳定性；采用(AlxGa1‑x)2O3/Ga2O3双势垒结构导带能量偏移大，有效减小越过势垒的热电子发射电流等非隧穿电流机制，提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN107706245B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
摘要： 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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公开(公告)号：CN107706245A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
摘要： 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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