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公开(公告)号：CN111621846B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910144704.9
申请日：2019-02-27
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。
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公开(公告)号：CN109949964A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910171876.5
申请日：2019-03-07
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供了一种基于单晶铜的降低电路损耗的方法。单晶铜是由一个晶粒长大而形成，因此没有晶界，并且晶格缺陷较少。相对于多晶铜而言，单晶铜具有更好的导电性能和传输特性，从而具有卓越的降低能量损耗的效果。本发明提出的一种基于单晶铜的降低电路损耗方法，包括但不限于将单晶铜应用作高频电缆、导线和集成电路等电路的制作材料，以降低电路的能量损耗和高频信号传输损耗。
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公开(公告)号：CN109652858A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811514047.4
申请日：2018-12-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。
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公开(公告)号：CN106835260B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710028076.9
申请日：2017-01-12
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。
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公开(公告)号：CN111188086B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202010123961.7
申请日：2020-02-27
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供一种超高导电多层单晶压合铜材料的制备方法，将多层单晶铜箔叠合在一起形成层叠体，采用在加压的同时高温退火的方式将所述层叠体加压退火成一体，或者是采用直接热轧的方式将所述层叠体压合成一体，制备出超高导电多层单晶压合铜材料。该方法用多层单晶铜箔作为原料，利用热轧或压合退火的方法制备出超高导电多层单晶压合铜材料，其电导率大于等于105％IACS。本发明提出的方法，解决了单晶铜材料制备成本高昂，技术复杂，价格昂贵，无法大规模生产等一系列问题，通过非常简单的方法，实现了超高导电多层单晶压合铜材料的制备。
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公开(公告)号：CN110694633B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201911006484.X
申请日：2019-10-22
申请人： 北京大学
IPC分类号： B01J23/887 , C01B32/159 , C01B32/162 , C01B32/17
摘要： 一种Fe‑Mo/MgO系催化剂的制备方法及利用该催化剂的单壁碳纳米管CVD制备方法，通过对基于MgO负载的Fe‑Mo双金属催化剂的配方进行优化，大幅度降低催化剂中Mg元素的含量，降低催化剂的制备成本，同时通过对碳纳米管CVD生长过程中的CH4、H2和惰性气体通量的最优组合进行探索，实现了单壁碳纳米管(SWNTs)的宏量化制备。
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公开(公告)号：CN111690983A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179992.1
申请日：2019-03-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，所述方法为商业多晶铜箔作为原料，利用预先氧化保护然后退火的工艺制备出Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面等一系列米级大单晶高指数面铜箔。本发明提出的方法，解决了Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面单晶铜箔价格和制备成本高昂且市场上没有产品供应的问题，通过非常简单的方法，实现了高质量米级大单晶Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)、Cu(355)以及其他高指数面铜箔的宏量制备。
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公开(公告)号：CN111690982A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910179967.3
申请日：2019-03-11
申请人： 北京大学
摘要： 本发明首次提出一种利用任意指数面的单晶铜箔生长单晶石墨烯的方法，所述方法包括如下步骤：S1，制备任意指数面的单晶铜箔；S2，选用所述单晶铜箔作为衬底，并在其上生长出高质量超大尺寸的单晶石墨烯。本发明首次在非Cu(111)、Cu(100)等常见晶面上生长大尺寸单晶石墨烯，在成功制备Cu(211)、Cu(323)、Cu(110)、Cu(236)、Cu(331)、Cu(256)、Cu(553)、Cu(659)、Cu(736)、Cu(748)、Cu(671)等晶面的单晶铜箔上均成功生长了连续的大尺寸的单晶石墨烯；在这些晶面上均长出了单层均匀且高质量的石墨烯。
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