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公开(公告)号：CN103147731B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310096006.9
申请日：2013-03-25
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种提高原油采收率的方法。在原油采收之前，针对油田0～800m深度的浅部储层岩心，注入具有硅酸盐矿物分解能力的好氧微生物；针对油田800m以上深度的深部储层岩心，注入具有铁还原能力的厌氧微生物；待注入的微生物与储层粘土矿物作用一段时间之后再进行原油采收。本发明基于微生物促进油藏储层矿物蒙脱石物相转化的研究，通过改善储层水敏膨胀特性，为超低渗油层储层缩膨与提高原油采收率开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN103147731A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310096006.9
申请日：2013-03-25
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种提高原油采收率的方法。在原油采收之前，针对油田0～800m深度的浅部储层岩心，注入具有硅酸盐矿物分解能力的好氧微生物；针对油田800m以上深度的深部储层岩心，注入具有铁还原能力的厌氧微生物；待注入的微生物与储层粘土矿物作用一段时间之后再进行原油采收。本发明基于微生物促进油藏储层矿物蒙脱石物相转化的研究，通过改善储层水敏膨胀特性，为超低渗油层储层缩膨与提高原油采收率开辟了新的途径。
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公开(公告)号：CN117295341A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311274402.6
申请日：2023-09-28
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提供一种铁电非易失存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的源侧控制栅、存储栅和漏侧控制栅；其中，在衬底上设置源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；源侧控制栅和漏侧控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、源侧控制栅、漏侧控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。
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公开(公告)号：CN117377323A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311346874.8
申请日：2023-10-18
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种非易失半导体存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。该器件包括衬底、控制栅、存储栅、源区和漏区，衬底位于最下方，具有第一掺杂类型；衬底上方设有源、漏区，源、漏区掺杂为与衬底掺杂类型相反的第二掺杂类型；源、漏区之间的区域为沟道，沟道区分为沟道区一和沟道区二，控制栅覆盖沟道区一，控制栅下表面与沟道区一上表面间为栅介质，在沟道区二上方覆盖铁电层，铁电层为具有铁电特性的材料构成的薄膜，存储栅位于铁电层正上方，控制栅连接字线，漏区连接位线，源区通过共源线接地，衬底接地，控制存储栅的电压改变铁电层电场，使用铁电层极化状态存储“0”、“1”。本发明可实现随机访问、随机写入、按块擦除。
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公开(公告)号：CN117560929A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311274433.1
申请日：2023-09-28
申请人： 北京大学
IPC分类号： H10B51/30 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种非易失铁电半导体存储器非易失铁电半导体存储器及制备方法，其中的存储器包括衬底、依次设置在衬底上方的控制栅和存储栅；其中，在衬底上设置有源极和漏极，位于源极和漏极之间的衬底区域形成隔离源极和漏极的沟道；在沟道和存储栅之间设置有铁电层，存储栅用于向铁电层的上表面施加电压，以改变铁电层的极化状态；控制栅用于控制沟道导通或关闭；通过控制存储栅、源极、控制栅以及漏极的电压，实现数据的写入、读取以及擦除。利用上述发明能够提高存储密度，降低功耗，增强可靠性。
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公开(公告)号：CN115728867B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211392198.3
申请日：2022-11-08
摘要： 本发明公开了一种非对称性光栅耦合器及其制备方法，制备方法包括步骤：提供衬底，并在衬底上形成光栅材料层；对所述光栅材料层进行刻蚀形成光栅层；其中，所述光栅层上具有一维光栅结构，所述一维光栅结构具有180度面内旋转对称性；在所述光栅层上刻蚀形成通孔；其中，所述通孔位于所述一维光栅结构的侧面；自所述通孔处对所述衬底进行刻蚀形成凹槽；其中，所述凹槽覆盖所述一维光栅结构和所述通孔所在的位置。本申请可在保持180度面内旋转对称性的前提下实现了上下辐射的不对称，因此可以避免相对较复杂的倾斜刻蚀工艺，简化了工艺流程，由于本申请的非对称性光栅耦合器的制备工艺更简单，从而可以确保良品率更高。
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公开(公告)号：CN207443191U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201721521367.3
申请日：2017-11-15
申请人： 北京大学
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本实用新型公开了一种超净台紫外灯便捷控制互锁保护电路，包括紫外光线路、可见光线路和单刀三掷开关，其特征在于，所述紫外光线路与可见光线路并联，通过一个单刀三掷开关连接电源形成回路；所述单刀三掷开关的三个不动端中，一个连接紫外光线路，一个连接可见光线路，第三个为常关触点；在所述紫外光线路中，紫外光光源和一个时控开关串联。进一步的，所述紫外光线路和可见光线路中分别并联有紫外灯指示灯和可见灯指示灯。本实用新型的互锁保护电路从根源上免除了紫外光的安全隐患，而且结构简单，成本低廉，可在现有超净台上直接进行改造，容易操作和维护。
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