公开(公告)号：CN1622330A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200310115454.5

申请日：2003-11-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国艳 ,  赵冬燕 ,  黄如 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/82 ,  H01F17/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明公开了一种集成电感及其制造方法，制造方法包括：清洗原始Si衬底并通过ICP工艺，在原始Si衬底上刻蚀深槽或深孔；所述深槽的宽度或深孔的直径一般为1μm－6μm；间距为1μm－3μm；然后，氧化一层隔离作用的SiO2，厚度为1000－4000埃，形成SiO2隔离层；通过低压化学汽相法淀积填充物(多晶硅2－3微米)，增加开孔或开槽衬底的机械强度；采用常规的集成电感制作工艺，完成集成电感的制造。本发明采用带有深槽或深孔的衬底制造集成电感，对于SOI衬底和体硅衬底有效的阻断衬底涡流，提高电感的品质因子并降低电感的串联电阻，与主流CMOS工艺能够很好的兼容；而且各结构参数根据实际需要和工艺水平调节的范围很大，在射频电路领域，具有非常广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN1635637A

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN200310123486.X

申请日：2003-12-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵冬燕 ,  张国艳 ,  黄如

IPC: H01L27/01 ,  H01L21/02 ,  H01F17/00 ,  H01F41/00

Abstract: 本发明提出了一种立体集成电感，包括衬底层、底层平行金属线、二氧化硅介质层和顶层平行金属线；所述的底层平行金属线设置在衬底与二氧化硅介质层之间，顶层平行金属线设置在二氧化硅隔离层上，通过穿过二氧化硅介质层内表面溅射有金属接触孔与底层平行金属线相连，形成单方向绕行的金属线圈；本发明提出的新型三维立体集成电感，采用常规工艺，即可实现三维立体结构，改变传统电感的二维结构。从根本上抑制了衬底涡流。并且该发明可以用于各类型衬底结构。同时电感各结构参数可以根据实际需要和工艺水平调节，具有很大的灵活性。并且，本发明立体电感中空面积的增加，并不会引起面积的增加，因此，在射频电路具有非常广阔的应用前景。