公开(公告)号：CN118070860A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410220430.8

申请日：2024-02-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  陈泽睿 ,  罗金 ,  黄芊芊

IPC: G06N3/065 ,  G06N3/084 ,  G11C11/22 ,  G11C11/54 ,  G06G7/32 ,  G06F15/78

Abstract: 本发明提供一种基于铁电场效应晶体管的支持片上训练的存内计算方法，构建基于铁电场效应晶体管的双极随机权重更新规则的对称存内计算单元，其包括差分存储单元和三态输出同或逻辑编程单元，差分存储单元包括两个的N型铁电场效应晶体管T1、T2，T1为核心存储的权重器件，其栅极为编程端口，连接三态输出同或逻辑编程单元的输出端，T2为差分权重器件，三态输出同或逻辑编程单元包括两个N型和两个P型MOSFET，M1～M4，其中M3的源极接在同或逻辑控制端。本发明可实现全模拟的存内乘累加运算与全片权重的并行更新，有前向传播、反向传播和权重更新三种工作模式，且可在行、列两个维度扩展，支持DNN的片上训练，应用前景广阔。