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公开(公告)号：CN118231545B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410660149.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京大学 , 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。
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公开(公告)号：CN118231545A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410660149.6
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京大学 , 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化氮化铝复合衬底及其制备方法。本发明通过在耐高温衬底上制备出具有半悬空AlN结构的单晶氮化铝，通过光学介质材料覆盖单晶氮化铝的非悬空状态的AlN且暴露悬空状态的AlN，以周期性分布的具有低位错密度和低失配应力的悬空状态的AlN表面作为氮化物半导体的成核生长区域，将外延界面从AlN/耐高温衬底变为氮化物半导体与AlN的同质或近同质界面，得到能够大幅降低外延结构位错密度和失配应力且提高氮化物半导体LED器件性能的图形化氮化铝复合衬底，与现有材料和器件体系兼容，制备成本低，适用于大规模生产氮化物半导体LED器件的衬底，用于制备氮化物半导体可见光或紫外光LED。
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公开(公告)号：CN119275078A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411370249.1
申请日：2024-09-29
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀托盘和刻蚀夹具。刻蚀托盘包括支撑板和位于支撑板一侧的多个凸台，晶片装载至凸台背离支撑板的一侧；支撑板与凸台之间通过连接件固定，至少部分凸台与支撑板之间存在第一间隙；多个凸台包括第一凸台和第二凸台，在支撑板所在平面的延伸方向上，第一凸台与支撑板中心的距离和第二凸台与支撑板中心的距离不同；在支撑板厚度方向，第一凸台朝向支撑板的一侧表面与支撑板之间具有第一间距，第二凸台朝向支撑板的一侧表面与支撑板之间具有第二间距，第一间距和第二间距不同。通过上述方案，可提升刻蚀托盘的使用寿命，保证刻蚀工艺制程稳定性，降低制造成本；另外还可实现不同区域晶片刻蚀效率的调整，提升刻蚀一致性。
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公开(公告)号：CN114156155B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111441533.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明属于刻蚀设备技术领域，公开了一种ICP刻蚀机。该ICP刻蚀机包括底座、下支架、上支架、上盖、调整环、导流板和线圈；下支架安装在底座上，上支架安装在下支架上，上盖安装在上支架上，线圈安装在上盖上；上盖、上支架内壁、下支架内壁和底座共同围设形成封闭的空腔；上盖还具有进气孔；导流板置于调整环上，调整环用于带动导流板沿靠近或远离底座移动；导流板用于将空腔分割为第一腔室和第二腔室，导流板具有若干个流道孔，第一腔室和第二腔室通过流道孔连通。通过本发明，可以实现放电间隙的调节和流场分布的调整；节省能源、提升效率和提高刻蚀质量；同时也能减少对上支架的刻蚀损害，提升刻蚀机的寿命。
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公开(公告)号：CN117577517A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311532573.4
申请日：2023-11-16
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种复合衬底清洗方法，首先提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构，然后采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，最后采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。利用上述方法，在清洗前合理调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，则带电胶体微粒不易吸附，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，有效提高了复合衬底的清洗效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116190507A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310175665.5
申请日：2023-02-27
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该基于复合材料膜层的图形化衬底的制备方法包括：提供一平片蓝宝石衬底；通过第一等离子体增强化学气相沉积工艺，在平片蓝宝石衬底上形成第一无机氧化物层；通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺，在第一无机氧化物层上形成第二无机氧化物层，其中，第二无机氧化物层的氧含量小于第一无机氧化物层的氧含量。利用上述方法，有助于提高第二无机氧化物层对于光刻胶的粘附性，以提升光刻胶膜层的匀胶良率，减少膜层的表面改性增粘处理的步骤，降低匀胶过程中受时限性的限制，避免图形化衬底的脱胶缺陷，提高图形化衬底的制备效率，降低图形化衬底的生产成本。
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公开(公告)号：CN115458654A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211027249.2
申请日：2022-08-25
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开一种图形化衬底、制备方法及LED外延片，制备方法包括提供一蓝宝石基底；在基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层或混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层；通过刻蚀工艺对复合异质层或带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构，多个表面粗糙的第一异质微结构能够促进外延层内部的位错沿图形侧面以及在图形顶部的合拢，提高外延材料的晶体质量、减小衬底表面的应力影响，同时保证图形化衬底对光线路径的改善，衬底与异质材料较大的折射差也能够提升出光的提取效率。
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公开(公告)号：CN114156155A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111441533.X
申请日：2021-11-30
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明属于刻蚀设备技术领域，公开了一种ICP刻蚀机。该ICP刻蚀机包括底座、下支架、上支架、上盖、调整环、导流板和线圈；下支架安装在底座上，上支架安装在下支架上，上盖安装在上支架上，线圈安装在上盖上；上盖、上支架内壁、下支架内壁和底座共同围设形成封闭的空腔；上盖还具有进气孔；导流板置于调整环上，调整环用于带动导流板沿靠近或远离底座移动；导流板用于将空腔分割为第一腔室和第二腔室，导流板具有若干个流道孔，第一腔室和第二腔室通过流道孔连通。通过本发明，可以实现放电间隙的调节和流场分布的调整；节省能源、提升效率和提高刻蚀质量；同时也能减少对上支架的刻蚀损害，提升刻蚀机的寿命。
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公开(公告)号：CN113066908A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110276193.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种图形互补复合衬底、制备方法及LED外延片。该图形互补复合衬底的制备方法包括：提供一平片基底；利用第一掩膜版对平片基底进行图形化，在平片基底的第一表面形成多个第一图形微结构；在平片基底的第一表面形成一层异质材料层；利用第二掩膜版对异质材料层进行图形化，形成多个第二图形微结构；第一图形微结构和第二图形微结构分别为凸起微结构或凹陷微结构；第一图形微结构和第二图形微结构在平片基底的第一表面的垂直投影相互不交叠。本发明可以解决现有图形化衬底不能满足LED芯片需求的问题，能够降低外延层应力，改善外延晶体的生长质量；同时增加光线的出光效率，提高LED芯片的内量子效率和外量子提取率。
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公开(公告)号：CN118712057B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411187537.3
申请日：2024-08-28
Applicant: 广东中图半导体科技股份有限公司
IPC: H01L21/318 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B25/18
Abstract: 本公开实施例提供一种氮化铝薄膜的制备方法，包括：在衬底上制备氮化铝薄膜半成品；采用第一物理气相沉积工艺在半成品上继续沉积氮化铝，得到氮化铝薄膜成品；所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95：5。在氮气流量百分比极高的条件下，溅射铝原子在沉积至氮化铝薄膜表面之前与氮气（氮原子）形成微小晶粒，微小晶粒以均匀细化沉积的方式在氮化铝薄膜表面沉积，使得氮化铝薄膜表面呈现均匀絮状结构。前述的絮状结构可以更好地适配外延层的生长，便于外延重结晶，减小外延层生长位错及应力，提高外延质量。
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