一种运用单自由度变形机构的钳剪抓多功能工程属具

    公开(公告)号:CN108356345B

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201810117681.8

    申请日:2018-02-06

    Inventor: 赵京 张浩 吴桐

    Abstract: 一种运用单自由度变形机构的钳剪抓多功能工程属具,为对称结构,包括钳剪装置、抱抓装置、分离变形装置;包括两个液压缸、一个基座、两个分离基座、驱动液压缸、液压剪刀具、抱抓连杆、抱抓手爪、分离连杆、基座导杆、基座滑块、分离滑块、第一连接杆、第二连接杆、分离滑块轨道槽。本发明利用双滑块机构实现抱抓装置与钳剪装置的相对移动,实现了快速完成由钳剪装置到抱抓装置的转换,并且在各工作状态下满足工作要求,没有发生运动干涉。

    基于栈式稀疏自编码的人脸图像性别识别系统

    公开(公告)号:CN105069400B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201510420256.2

    申请日:2015-07-16

    Inventor: 朱青 张浩 贾晓琪

    Abstract: 本发明涉及一种基于栈式稀疏自编码的人脸图像性别识别方法,属于图像识别、机器学习、计算机视觉领域。其中训练过程包括对人脸标准库FERET和CAS‑PEAL‑R1中的图像灰度化、直方图均衡化、几何校正、图像归一化、训练稀疏自编码模型、逻辑回归分类器训练、微调模型、模型融合,预测过程包括摄像头捕获自然场景图像、图像灰度化、直方图均衡化、人脸检测、几何矫正、图像归一化、利用栈式稀疏自编码模型预测、结果标注。本发明采用栈式稀疏自编码模型来处理人脸性别识别问题,可以逐层地学习到图像的组合特征,对原始信号有更好抽象表示,发明同时利用微调对隐藏单元所提取的特征做进一步调整,获得更高的识别准确率。

    利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法

    公开(公告)号:CN107513695A

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201710741284.3

    申请日:2017-08-25

    CPC classification number: C23C14/352 C23C14/08 C23C14/165 C23C14/185

    Abstract: 利用Nb掺杂调谐Ga2O3禁带宽度的方法,属于半导体材料领域。使用射频磁控溅射设备在单晶抛光硅片(Si)上沉积一层Nb:Ga2O3薄膜材料。用一种管式炉慢退火的杂质激活工艺,使Nb:Ga2O3薄膜材料中Nb分布均匀化;使Nb离子迁移到晶格中的空位缺陷处,并由间隙位占据替代位;减少结构缺陷,提高结晶化程度,增大晶粒尺寸,进一步提高薄膜质量。与已有技术相比,本发明的特征在于通过选用Nb作为掺杂剂,Ga2O3的禁带宽度有更大的禁带宽度调谐范围。

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