公开(公告)号：CN102636261A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210130399.6

申请日：2012-04-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  曹伟伟 ,  郭伟玲 ,  徐晨

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。

公开(公告)号：CN102447027A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110425171.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  刘建朋 ,  李翠轻 ,  曹伟伟 ,  丁艳

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本发明包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层，电极自上而下依次垂直连接；多量子阱有源区两侧的电极极性不同；多量子阱有源区一侧的电极，高光提取的窗口层结构以及限制层的极性相同，多量子阱有源区另一侧的限制层，接触层以及电极的极性相同。本发明通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。

公开(公告)号：CN102927469A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210427860.4

申请日：2012-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  郭伟玲 ,  曹伟伟

IPC: F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器具内充有导热液，导热液与LED芯片之间具有绝缘胶隔离。本发明所要解决的技术问题是提供一种LED的散热灯具，有效解决LED灯具出光侧散热不足的问题。

公开(公告)号：CN102927469B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201210427860.4

申请日：2012-10-31

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  郭伟玲 ,  曹伟伟

IPC: F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器具内充有导热液，导热液与LED芯片之间具有绝缘胶隔离。本发明所要解决的技术问题是提供一种LED的散热灯具，有效解决LED灯具出光侧散热不足的问题。

公开(公告)号：CN102636261B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201210130399.6

申请日：2012-04-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  曹伟伟 ,  郭伟玲 ,  徐晨

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明用于半导体光电子信息技术领域，具体涉及一种基于微动元调制GaN？HEMT沟道电流的红外探测器。其特征在于：所述探测器的结构依次包括：GaN/AlGaN？HEMT器件，微动元件，光波吸收辅助层，充气腔，衬底，吸收光波气体，窗口层；微动元件与HEMT沟道连接，充气腔内的吸收光波气体和光波吸收辅助层吸收光波后，发生形变，推动微动元件位移，微动元件的位移诱导GaN？HEMT沟道电流变化，使光波信号转变成电信号被探测。本发明实现GaN基力-电耦合红外探测器的高灵敏性和高可靠性。

公开(公告)号：CN202695520U

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201120531036.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 朱彦旭 ,  刘建朋 ,  李翠轻 ,  曹伟伟 ,  丁艳

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 本实用新型涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本实用新型包括上侧电极，高光提取的窗口层结构，接触层，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧电极，以及下侧半导体限制层；上侧电极，高光提取的窗口层结构，上侧半导体限制层，多量子阱有源区，下侧半导体限制层，接触层，下侧电极自上而下依次垂直连接；所述的高光提取的窗口层结构由半导体窗口层与接触层垂直连接构成。本实用新型通过采用垂直结构以及采用厚的半导体窗口层使GaN基发光二极管同时具有低工作电压和高光提取效率的特点。