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公开(公告)号：CN109390195A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811441984.1
申请日：2018-11-29
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种亚微米结构顶层含钪阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属热阴极材料技术领域。采用溶胶凝胶加氢气还原的方法制备亚微米级氧化钪掺杂难熔金属粉末，经过压制微波烧结得到亚微米结构顶层含钪难熔金属基体；对难熔金属粉末进行压制烧结制得难熔金属阴极基体，将阴极基体浸渍阴极发射活性盐并进行退火处理得到基底难熔金属阴极，最后通过焊接的方式如激光焊、钎焊等制备亚微米结构顶层含钪阴极。本发明制得的亚微米结构顶层含钪阴极具有发射电流密度大，发射均匀性好的特点，经充分激活后，在950℃工作温度下，最高发射电流密度可达100A/cm2，发射斜率达1.41以上。
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公开(公告)号：CN106783460A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710023699.7
申请日：2017-01-05
申请人： 武汉科技大学
摘要： 本发明涉及电极材料领域，具体涉及一种低逸出功阴极，固定在基底上，包括阴极本体1和固定杆2，所述固定杆2顶端与阴极本体1固定连接，所述阴极本体1由钨构成，所述固定杆2由SiC构成；本发明结构简单，其中固定杆具备低逸出功、耐高温和不易形变的特点，具备稳定性，同时钨制成的阴极本体也具备耐高温性，使整个低逸出功阴极结构稳定。
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公开(公告)号：CN1328693A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN99813845.2
申请日：1999-10-01
申请人： 三星SDI株式会社 , 尼科斯-伊科有限公司
IPC分类号： H01J1/14
摘要： 提供了一种电子束器件的阴极材料,它含有0.5到9.0%(重量)的铈族稀土金属,0.5到15.0%重量的钨和/或铼,0.5到10.0%(重量)的铪和剩余的为铱。因为该阴极材料具有优良的可塑性,很容易于制造小尺寸的发射器。此外,还因为该阴极材料的电子发射密度高而工作温度低,因此可以确保有长的寿命。此外,该阴极材料可以用作电子束器件的阴极材料。
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公开(公告)号：CN103987864B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280060241.4
申请日：2012-12-21
IPC分类号： C22C1/04 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C27/04 , H01J1/14 , H01J23/04 , H01J61/06 , B22F3/10 , B22F3/24
CPC分类号： C22C1/045 , C22C1/10 , C22C27/04 , C22C32/0005 , C22C32/0031 , C22C32/0052 , H01J1/146 , H01J23/05 , H01J61/0735
摘要： 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfO2换算计的Hf成分。
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公开(公告)号：CN106128903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610765044.2
申请日：2016-08-31
申请人： 安徽华东光电技术研究所
摘要： 本发明涉及一种新型阴极钼筒结构及其制造方法，属于电真空器件中阴极制造技术领域。钼筒本体的顶部开设有一台阶孔，钼筒本体的底部开设有一底孔，底孔内开设有等间距排列的圆台孔；本发明实现将钨基体焊接到台阶孔上，将热子及绝缘粉料烧结到等间距排列的圆台孔中，使得热子组件和阴极发射基体成为一个整体结构，热子组件和阴极发射基体距离仅为0.1mm‑0.2mm，大大提高热子组件的热利用率，降低热子组件和阴极基体间的温差，延长热子寿命，同时可使得阴极达到快速热启动；用于烧结热子的等间距排列的圆台孔设计成倒锯齿状，绝缘粉烧结熔化后能牢固的附着在圆台孔侧壁上，极大地避免发生热子绝缘层脱落现象，进而大大提高了阴极组件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103987864A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280060241.4
申请日：2012-12-21
IPC分类号： C22C1/04 , C22C1/05 , C22C1/10 , C22C27/04 , H01J1/14 , H01J23/04 , H01J61/06 , B22F3/10 , B22F3/24
CPC分类号： C22C1/045 , C22C1/10 , C22C27/04 , C22C32/0005 , C22C32/0031 , C22C32/0052 , H01J1/146 , H01J23/05 , H01J61/0735
摘要： 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上3wt％以下的范围内含有以HfO2换算计的Hf成分。
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公开(公告)号：CN102246260A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149187.9
申请日：2009-12-08
申请人： 联合材料公司
CPC分类号： H01J1/146 , H01B1/08 , H01J9/42 , H01J61/0735 , H01J61/0737
摘要： 本发明的课题在于提供一种钨电极材料，其使用替代氧化钍的材料，与现有技术相比可提高电极寿命。本发明的钨电极材料的特征在于，具有钨基材和分散于上述钨基材中的氧化物颗粒，上述氧化物颗粒是由Zr氧化物和/或Hf氧化物、与选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu之中的至少一种以上稀土的氧化物固溶得到的氧化物固溶体。
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公开(公告)号：CN100587886C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200410059590.1
申请日：2004-05-28
申请人： 通用电气公司
CPC分类号： H01J1/146 , H01J1/14 , H01J61/0677 , H01J61/0737
摘要： 一种电子发射组合物，其包括具有公式为(Ba1-x，Cax，Srp，Dq)6(Ta1-y，Wy，Et，Fu，Gv，Caw)2O(11±δ)的钽酸钡组合物，其中δ的量约为0到-3；其中D为碱金属离子(alkali earth metal ion)或者碱土金属离子；E、F和G为碱土金属离子和/或过渡金属离子；x为不超过约0.7的量；y为不超过约1的量；p和q为不超过约0.3的量；t为约0.05到0.10的量；u约为0.5不超过的量；v为不超过约0.5的量且w为不超过约0.25的量。一种用于制造电子发射组合物的方法，包括混合具有粘合剂的钽酸钡组合物；且在约1000℃到1700℃的温度下烧结具有粘合剂的钽酸钡组合物。
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