公开(公告)号：CN118393307A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410395335.1

申请日：2024-04-02

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 林辰正 ,  赵昕 ,  赵玉佳 ,  吴立成 ,  杨军

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/00

摘要： 一种MOSFET电磁辐射抗扰性测试方法，属于半导体分立器件测试领域。本发明采用了MOSFET电磁兼容测试板设计以及合理的测试步骤：一方面采用MOSFET电磁兼容测试板，在保护外围器件免受干扰的情况下，使得待测器件受到规定的电磁场干扰，从而快速准确地测量MOSFET受到不同频率和场强的EMI干扰时的抗扰性；另一方面通过合理的扫频方式，采取两步扫频的方式，搭配合适的测试步进，能够在准确地测试MOSFET辐射抗扰性的同时节约测试时间。本发明涉及的测试方法步骤简单，与目前普遍应用的MOSFET兼容度高，可以用来测试MOSFET的电磁辐射抗扰性。

公开(公告)号：CN118198136A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410435689.4

申请日：2024-04-11

申请人： 北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

发明人： 赵玉佳 ,  赵昕 ,  吴立成 ,  刘芮 ,  王成杰 ,  王慜 ,  李晓博 ,  郭兴达

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管，包括：衬底、n‑型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p‑型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层；其中，n‑型漂移区位于衬底的上部；n‑型漂移区内部设置有倒梯形沟槽，超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内；p‑型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部；n+型源区嵌于p‑型基区内；栅氧及多晶硅层位于n‑型漂移区、p‑型基区和n+型源区的上部；其中，与p‑型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔；源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部，其中，源极金属铝的部分与p‑型基区和n+型源区相接触。本发明解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。