一种1553B总线接口电路反熔丝烧调电压自动调整系统

    公开(公告)号:CN118625888A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410699784.5

    申请日:2024-05-31

    IPC分类号: G05F1/625 G01R31/28

    摘要: 本发明公开了一种1553B总线接口电路反熔丝烧调电压自动调整系统,包括:主控处理器、反熔丝模块、烧调电压自动调整模块、通讯模块和供电模块。所述主控处理器通过通讯模块接收、解析并执行上位机下发的通讯信息,并返回测试结果给上位机,所述反熔丝模块对1553B总线接口电路进行试写、熔烧和回读操作,所述烧调电压自动调整模块产生可调的熔烧电压以及可调的键值位对比电平,所述通讯模块完成上位机与硬件板卡的命令交互,所述供电模块为整板元器件提供各种不同幅值的电源电压。本发明可用于满足1553B系列总线接口电路不同烧调电压的自动化调整的需求。

    一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管及制造方法

    公开(公告)号:CN118198136A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410435689.4

    申请日:2024-04-11

    摘要: 本发明公开了一种改进导通特性的硅基超级结场效应晶体管,包括:衬底、n‑型漂移区、超级结p型梯形掺杂区、p‑型基区、n+型源区、源极金属铝和栅氧及多晶硅层;其中,n‑型漂移区位于衬底的上部;n‑型漂移区内部设置有倒梯形沟槽,超级结p型梯形掺杂区设置于倒梯形沟槽内;p‑型基区位于超级结p型梯形掺杂区的上部;n+型源区嵌于p‑型基区内;栅氧及多晶硅层位于n‑型漂移区、p‑型基区和n+型源区的上部;其中,与p‑型基区和n+型源区对应的栅氧及多晶硅层的位置处开设通孔;源极金属铝位于栅氧及多晶硅层的上部,其中,源极金属铝的部分与p‑型基区和n+型源区相接触。本发明解决传统超级结结构带来的通流能力弱、导通损耗大问题。