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公开(公告)号：CN119765883A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411694949.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及一种电流源换流阀及电流源换流器，在电流源换流阀的交流出口端分别连接有交流滤波电容和换流变压器，换流变压器的第二端接入交流电网，如此，可在电力传输过程中进行交直流转换。并且，该方案还在交流滤波电容处接入电容保护模块，通过电容保护模块，可在电流源换流阀发生交流侧故障的情况下，对交流滤波电容进行过压保护，和/或在交流侧故障恢复的情况下，对交流滤波电容进行振荡抑制。如此，可确保电流源换流阀发生交流侧故障时，交流滤波电容不会过压，和/或，确保交流侧故障恢复时，交流滤波电容迅速回归稳态，进而大大降低电流源换流阀中滤波电容的运行风险。
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公开(公告)号：CN119575143A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202510122662.4
申请日：2025-01-26
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。
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公开(公告)号：CN118677414A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410768328.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K17/08 , H03K19/003
Abstract: 一种功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用。其中，功率半导体器件的驱动保护电路包括开通模块、第一关断模块、保护模块，所述开通模块、所述第一关断模块和所述保护模块并联连接在所述功率半导体器件的门极和阴极之间，其中，所述保护模块用于在所述功率半导体器件的门阴极电压超过预设阈值的情况下保护所述功率半导体器件。本发明的功率半导体器件的驱动保护电路、功率半导体器件及其应用，通过增加保护模块，使得在功率半导体器件未与驱动连接或功率半导体器件封装内部阴极接触不可靠等故障工况下，保障器件芯片、封装及驱动本身的运行安全。
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公开(公告)号：CN118507518A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410814130.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/74
Abstract: 本申请涉及一种门极连接元件、门极组件、晶闸管、功率半导体器件及电力设备，主体部具有第一表面和第二表面，第一表面的表面朝向为第一朝向，第二表面的表面朝向为第二朝向，第一朝向和第二朝向相反，形变部与主体部相连，形变部具有第一形变状态和第二形变状态，第一形变状态为形变部沿着第一朝向发生位置改变的形变，第二形变状态为形变部沿着第二朝向发生位置改变的形变，连接部基于形变部在第一形变状态和第二形变状态之间的切换，相对于主体部发生位置改变。门极连接元件与阴极引出件之间的间隙的尺寸，可基于门极连接元件中形变部的形变能力实现改变，因而不会发生劣化门极连接元件的弊端，保证功率半导体器件的电气性能不被破坏。
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公开(公告)号：CN119922964A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374466.6
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种集成功率半导体器件和电子设备，该集成功率半导体器件包括：第一功率半导体芯片，第一功率半导体芯片包括第一晶闸管；导电层，位于第一功率半导体芯片的一侧，导电层作为第一功率半导体芯片的阴极；第二功率半导体芯片，位于导电层的远离第一功率半导体芯片的一侧，第一功率半导体芯片与第二功率半导体芯片通过导电层串联。本申请解决了现有功率半导体器件封装中，阴极电极主要起到导电作用，其空间利用率不高导致功率半导体器件的性能较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119920699A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372594.7
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件及其封装工艺方法；该半导体器件的封装工艺方法包括步骤：通过注塑工艺将阴极电极、阳极电极和门极电极预连接于芯片上，以形成将芯片密封包裹的一体化预组装结构；将管壳封装于一体化预组装结构的外周；将管壳的管壳阴极与阴极电极密封电连接，管壳的管壳阳极与阳极电极密封电连接；采用管壳盖板对管壳进行封盖。本申请通过在芯片封装前增加一体成型环节，通过将芯片上的金属电极一体成型连接于芯片，并通过注塑工艺将一体成型后的组装结构进行注胶，以将芯片包裹，从而使得芯片与外部环境隔离，以达到提升芯片测试良率的目的。
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公开(公告)号：CN119881581A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510372702.0
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供功率器件封装老化监测方法、监测电路、驱动方法及装置，该方法包括：根据第一加热脉冲对待测器件加热，使结温升高至预设最大结温；对待测器件散热，散热时长根据辅助封装膜层与目标封装膜层的热时间常数和确定，待测器件的封装结构包括辅助封装膜层和目标封装膜层，辅助封装膜层位于目标封装膜层与热源之间；获取待测器件第一当前结温；根据第二加热脉冲对待测器件加热，加热时长根据辅助封装膜层的热时间常数和确定，第二加热脉冲根据第一加热脉冲确定；获取待测器件第二当前结温；根据第一当前结温、第二当前结温和第二加热脉冲，确定目标封装膜层的当前热阻；根据当前热阻与预设热阻判断目标封装膜层的老化状态。
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公开(公告)号：CN119881435A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510374476.X
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。
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公开(公告)号：CN119765969A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411695418.9
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H02M7/5387 , H02M1/088
Abstract: 本申请涉及一种混合桥臂及其控制方法、半桥电路及电流源型变换器，电流源型变换器的半桥电路包括串联的上桥臂和下桥臂，上桥臂和下桥臂中，至少有一个桥臂为混合桥臂，混合桥臂包括并联的导通压降优化桥臂和关断电流优化桥臂，导通压降优化桥臂的导通压降小于关断电流优化桥臂的导通压降，关断电流优化桥臂的电流关断能力高于导通压降优化桥臂的电流关断能力。通过并联低导通压降的导通压降优化桥臂和高电流关断能力的关断电流优化桥臂形成混合桥臂，组成电流源型变换器，使得电流源型变换器可以在降低导通压降的同时提高其电流关断能力，实现电流源型变换器运行效率和运行范围的同时优化，提高了电流源型变换器的工作性能约束上限。
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公开(公告)号：CN118610168A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410741465.6
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/04 , H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请涉及一种管壳组件及半导体封装结构，其中，管壳组件包括具有第一热膨胀系数的第一电极、具有第二热膨胀系数的过渡环结构以及具有第三热膨胀系数的第一法兰环结构，过渡环结构位于第一电极的周侧边缘，第一法兰环结构固定连接于过渡环结构朝向第一电极的一侧表面；第二热膨胀系数介于第一热膨胀系数和第三热膨胀系数之间。本申请在提高散热能力的基础上降低了管壳组件制造时的热应力失配，提高了管壳密封的可靠性，在确保气密性合格的基础上提高了半导体器件以及半导体封装结构的使用寿命。
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