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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN118969739A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN117438382A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311491470.8
申请日：2023-11-10
Abstract: 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。
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公开(公告)号：CN118092874B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410481076.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 北京国电通网络技术有限公司 , 国家电网有限公司 , 国家电网有限公司大数据中心 , 国网福建省电力有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 华北电力大学
IPC: G06F8/20 , G06F8/36 , G06F16/9535
Abstract: 本发明公开了一种基于图集扩展的API编排方法及装置，方法包括：接收用户发送的编排请求；根据所述编排请求，匹配符合应用服务所需的API；根据查找的API以及预先建立的调用关系导航库建立API编排组合集，所述API编排组合集包括多个API编排方案，每个API编排方案包括至少两个API；将每个API编排方案中的API等效为节点，调用关系等效为有向边，获得多个API编排方案图；根据多个API编排方案图建立编排图集，基于所述编排图集进行统计分析和扩展，寻求满足应用服务需求的最优API编排方案并生成推荐信息发送至用户，该方法能够降低API编排难度。
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公开(公告)号：CN105489645B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC: H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105514095B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC: H01L25/07 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN107305886A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610262592.3
申请日：2016-04-25
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L25/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L25/115 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本发明提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
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公开(公告)号：CN106483441A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610843020.4
申请日：2016-09-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，所述方法包括构建压接型功率半导体器件的有限元模型；在有限元模型中耦合压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的热应力分布；依据耦合热应力后的有限元模型，仿真得到压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的压力分布；测量压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际压力分布；确定压接型功率半导体器件在预置工况条件下其内部的实际温度分布。与现有技术相比，本发明提供的一种压接型功率半导体器件内部温度分布测量方法及系统，通过试验测量和仿真测量相结合的方式可以间接测量压接式功率半导体器件在任何工况条件下的压力分布和温度分布。
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公开(公告)号：CN105806887A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610258586.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国网浙江省电力公司 , 华北电力大学
CPC classification number: G01N25/20 , G01R1/0425 , G01R31/2601
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具，包括：绘制器件电学参数值结压降Vce与结温Tj的关系曲线；绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(direct)(t)；绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(metal)(t)；绘制瞬态热阻抗分离点曲线；确定器件结壳热阻，测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差，配套的测量夹具也相对比较简单，提高了测量方便性和测量结果的准确性。
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公开(公告)号：CN105552037A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510960380.8
申请日：2015-12-18
IPC: H01L23/10 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以所述下端金属电极的中心为圆心，由内层到外层依次圆周等分布在所述下端金属电极的内侧面上。本发明提供的技术方案改善了压接式IGBT模块的凸台在通过瞬态电流时，部分电流过冲太大的问题，提高了压接式IGBT功率模块的可靠性，增大了压接式IGBT功率模块的安全工作区。
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