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公开(公告)号：CN102542110A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459205.2
申请日：2011-12-29
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括：建立存储器模块的步骤；建立兼容性产生机制的步骤；建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
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公开(公告)号：CN102541474B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110459238.7
申请日：2011-12-29
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN102542110B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110459205.2
申请日：2011-12-29
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括：建立存储器模块的步骤；建立兼容性产生机制的步骤；建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
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公开(公告)号：CN102541474A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459238.7
申请日：2011-12-29
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN104576640B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410815637.6
申请日：2014-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。
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公开(公告)号：CN104576640A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410815637.6
申请日：2014-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明提供一种IO Pad的ESD静电防护结构，包括衬底、两个P型晶体管、四个N型晶体管、隔离电阻、两个PAD通道以及N型阱区。本发明采用非ESD Device器件构成防护器件；采用手指状结构并联MOS管单元构成MOS管并联组，多MOS管并联组并行布局，构成大尺寸静电防护MOS器件；版图布局采用双Pad通道，与ESD防护N型MOS器件区域、P型MOS器件相间隔分布。本发明的IO Pad的ESD静电防护结构，与工艺厂商提供IO Pad的静电防护结构相比，能减少工艺流程，兼容其他工艺设计，达到等同静电防护性能同时，静电防护器件面积更小，成本更低，且便于为提升防静电能力对静电防护器件进行改进。
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