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公开(公告)号：CN118748028A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410770393.8
申请日：2024-06-14
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠实时自中断STT‑MRAM写电路，由写电流通路和实时自中断写电流控制等模块组成。本发明所述的写电路适用于2T2MTJ存储单元结构，即采用2个Transistor和2个MTJ记录1bit数据；写电流通路由存储单元和外围电路组成，其中外围电路采用双电流镜结构，缓解STT写操作的电流、时间不对称问题；实时自中断写电流控制模块在确保写正确率、不启动读电路的情况下，缩短具体单元的写时间、降低写功耗，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命。本发明具有数据存储高可靠、写操作高效率、存储单元长寿命等优点，可作为高可靠、长寿命STT‑MRAM写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN114187941B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN116131814A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211493609.8
申请日：2022-11-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种适用于FDSOI工艺的双电源冗余锁存瞬时剂量率辐射加固触发器结构,属于抗辐射集成电路设计技术领域。通过增加冗余锁存结构，抑制由瞬时剂量率辐射导致的电源塌陷所引起的触发器输出数据翻转和扰动。冗余锁存结构采用与触发器主体结构不同的电源供电，并进行版图加固设计。整体电路采用晶体管堆叠结构，提高触发器抗瞬时剂量率辐射的能力。本发明的设计基于商用规则，可操作性强，易实现。
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公开(公告)号：CN110676252B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910865159.2
申请日：2019-09-12
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/092
摘要： 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。
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公开(公告)号：CN114187941A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111406609.5
申请日：2021-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及一种高可靠的抗辐射加固STT‑MRAM读写电路，由数据单元、敏感放大器、锁存单元、写电流控制和写电流通路等模块组成。读操作采用敏感放大器与锁存单元分级读取的模式，缩短了读电流通过数据单元的时间，大大提高了存储单元的数据保持能力和使用寿命；写操作的电流方向由时钟信号、输出使能信号、待写数据信号共同控制。本发明所述的读写电路采用2个MTJ记录1bit数据，提高了电路对工艺、电压和温度(PVT)偏差的容忍程度，消除了传统STT‑MRAM写”0”或写”1”电流不对称的问题；锁存单元对空间单粒子效应导致的敏感节点翻转有一定修复能力。本发明具有高可靠、抗辐射、长寿命等优点，可作为宇航级STT‑MRAM读写电路设计的解决方案。
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公开(公告)号：CN105610441B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510981634.4
申请日：2015-12-23
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03M1/06
摘要： 一种发射型数模转换器直流失调的电流补偿系统，包括偏置电路、电流源粗调电路、电流源细调电路以及电流沉电路；偏置电路提供偏置电压，电流沉电路从发射型数模转换器的电流输出端抽取电流，电流源粗调电路产生32路相同的电流，其总和与电流沉电路抽取的电流值相等，根据粗调控制信号选择前N路电流输出给发射型数模转换器，将第N+1路电流输出给电流源细调电路，电流源细调电路将第N+1路电流分为6路32份，根据细调控制信号选择某一路或某几路电流输出给发射型数模转换器，本发明根据发射型数模转换器的直流失调灵活地提供补偿电流，同时提高了输出电流的精确度，且精度可控。
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公开(公告)号：CN105609504B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510993638.4
申请日：2015-12-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L27/11
摘要： 一种阱隔离型抗SEU多节点翻转存储单元版图结构，包括阱隔离区域(201)、(202)、(203)，DICE单元区域(101)、(103)、(105)、(107)，DICE单元(102)、(104)、(106)、(108)。阱隔离区域交叉布局在两个DICE单元区域中间。本发明与现有的技术相比，在有效地分离DICE存储单元结构中的所有敏感节点对的同时，进一步增加了敏感节点对间的距离，阱隔离结构还有利于减小敏感节点对间的寄生双极型晶体管效应和电荷共享效应，大大抑制了DICE单元中由SEU引起的多节点翻转，大幅度提高了抗辐射SRAM的抗SEU性能。
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公开(公告)号：CN105608048B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510965340.2
申请日：2015-12-21
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G06F15/177 , G06F15/163
摘要： 一种星载DSP软件任务动态重构电路及重构方法，基于集成的FPGA芯片构建处理器总线接口和DSP HPI接口的物理连通链路。在处理器中设计软件程序，用于驱动总线时序变化，并设计总线接口与HPI接口的时序转换逻辑，在需要动态加载DSP任务时，通过动态重构在FPGA中实现转换逻辑电路；处理器从FLASH中获取DSP运行程序数据，通过持续改变处理器中的软件运行，以驱动总线产生程序数据对应的时序；在程序数据加载完成后，由处理器发送启动指令，实现DSP程序的启动和运行。
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公开(公告)号：CN105634454B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610108491.0
申请日：2016-02-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K17/22
摘要： 一种适用于宇航用SRAM型FPGA的单粒子加固的上电复位电路，它内部包含电源VCC、三个相同的上电冗余模块、出错检测及冗余输出控制模块和三个可控输出缓冲器，出错检测及冗余输出控制模块可以检测出出错的上电冗余模块，并把上电冗余模块进行复位，清除单粒子效应的累积；出错检测及冗余输出控制模块可以控制可控输出缓冲器切断出错的上电冗余模块的输出，确保上电复位电路的输出正确。本上电复位电路清除了由单粒子翻转效应引起的错误累计现象，同时对模块输出进行控制，消除单粒子效应对输出的影响，实现显著的抗单粒子效应的能力。
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公开(公告)号：CN108055031A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711341286.X
申请日：2017-12-14
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题。
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