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公开(公告)号：CN111081594B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910913120.3
申请日：2019-09-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种JLCC图像传感器电路封装前的清洗工装及方法，工装中高速旋转平台中心位置紧密分布了小孔，并在高速旋转平台边缘均匀分布了4个安全限位卡槽；所述的电路定位工装包括基板以及设置在基板上的电路限位卡槽，所述的电路限位卡槽有多组且位于同一圆周上，每组电路限位卡槽用于固定一个待清洗电路；电路定位工装安装在所述的旋转平台上，通过设置在旋转平台上的小孔利用真空吸附的方式实现二者的固定，由旋转平台带动电路定位工装上的待清洗电路实现清洗过程中的旋转；液体与高压气体通道与放置在旋转平台上方的二流体喷嘴连通，通过二流体喷嘴喷射二流体至待清洗电路表面，实现清洗。
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公开(公告)号：CN111081594A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910913120.3
申请日：2019-09-25
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明涉及一种JLCC图像传感器电路封装前的清洗工装及方法，工装中高速旋转平台中心位置紧密分布了小孔，并在高速旋转平台边缘均匀分布了4个安全限位卡槽；所述的电路定位工装包括基板以及设置在基板上的电路限位卡槽，所述的电路限位卡槽有多组且位于同一圆周上，每组电路限位卡槽用于固定一个待清洗电路；电路定位工装安装在所述的旋转平台上，通过设置在旋转平台上的小孔利用真空吸附的方式实现二者的固定，由旋转平台带动电路定位工装上的待清洗电路实现清洗过程中的旋转；液体与高压气体通道与放置在旋转平台上方的二流体喷嘴连通，通过二流体喷嘴喷射二流体至待清洗电路表面，实现清洗。
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公开(公告)号：CN111081593A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910907612.1
申请日：2019-09-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的2倍。本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN113921506A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111014996.8
申请日：2021-08-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/56
摘要： 本发明公开了一种用于叠层封装的临时悬空结构，由N层子悬空结构构成，N为待粘接的芯片层数，第1层子悬空结构布置在第1层芯片和外壳之间，第i层子悬空结构布置在第i‑1层芯片和第i层芯片之间，i＝2,3，……N；所述第1层芯片为底层芯片；每层子悬空结构包括多个限位球，限位球的上下表面涂覆有UV胶，芯片通过UV胶粘接在限位球上，实现临时悬空支撑。本发明同时公开了该临时悬空结构的制作方法。本发明可实现叠层封装芯片的多次拆卸返工，有效减少芯片的浪费，节约了时间和成本。
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公开(公告)号：CN112635385A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN116153774A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211105028.2
申请日：2022-09-09
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683
摘要： 本申请涉及集成电路封装领域，具体公开了一种硅转接板的制备方法，包括：将硅圆片的A面贴于第一划片膜上；在硅圆片的B面进行开槽切割；对第一划片膜进行解胶，揭掉第一划片膜，并将A面贴于第一减薄膜上；针对B面上的划片区域进行减薄；对第一减薄膜进行解胶，揭掉第一减薄膜，并将B面贴于第二减薄膜上；对A面进行减薄，减薄到开槽深度的位置，以从硅圆片上分离出硅转接板；将分离后的转接板转移至第二划片膜上，并解胶揭掉第二减薄膜；对第二划片膜进行解胶，利用分选设备将转接板取下。本申请的方案有利于避免芯片叠层封装硅转接板崩裂的可能性，减小硅转接板表面损伤，减小由于工艺带来的残余应力，降低转接板的翘曲度。
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公开(公告)号：CN111081593B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201910907612.1
申请日：2019-09-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种用于单芯片减薄的工装，包括单晶硅片和减薄膜，单晶硅片中心加工有圆孔，待减薄的单颗芯片通过减薄膜固定在圆孔内部；单晶硅片的厚度为待减薄芯片厚度±5μm，圆孔的直径小于90mm，且大于等于待减薄芯片对角线的2倍。本发明进一步公开了一种用于单芯片减薄的方法，首先制备工装，然后利用工装固定芯片，设置减薄机粗磨和精磨参数，实现粗磨减薄和精磨减薄，保证减薄后的芯片厚度、TTV和自身强度满足设计要求。利用本发明中的工装及方法，可高效、稳定的完成单颗芯片的减薄，实现对MPW拼版圆片上不同厚度要求芯片的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN112635385B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011529470.9
申请日：2020-12-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/304 , B24B41/06 , B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种用于单粒子效应试验倒装焊器件减薄的工装及方法，属于集成电路芯片减薄技术领域，所述的倒装焊器件指完成芯片倒装焊接的电路。相比于传统方法，利用本发明中的特制工装及方法，可以利用全自动圆片减薄机实现单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，突破了行业内无专用设备的技术瓶颈问题；通过对减薄工艺方法、工艺参数的优化，提高了单粒子效应试验倒装焊器件减薄精度以及减薄成功率，避免“盲减”时，受限于操作人员经验，致使减薄精度不够以及成功率低的问题发生；利用本发明中的特制工装及方法，可高效、稳定的完成单粒子效应试验倒装焊器件的减薄，方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN109244012B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811042993.3
申请日：2018-09-06
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器电路清洗的工装及方法，属于CMOS图像传感器电路封装领域。相比于传统方法，本发明能够快速、有效地去除附着在芯片、外壳以及玻璃盖板表面的沾污、灰尘以及其他形式的多余物，解决了CMOS图像传感器电路由于内部存在多余物致使感光部位受到遮挡而形成坏点导致的可靠性低的问题，同时不会影响电路内部键合丝的键合强度。利用本发明的方法可以有效去除CMOS图像传感器电路内部多余物，保证了CMOS图像传感器电路封装后的可靠性，有效的缩短了生产周期，且清洗方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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公开(公告)号：CN106670735B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610796720.2
申请日：2016-08-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： B23P15/00
摘要： 本发明公开了一种高精度焊片切割方法，相比于传统方法，得到的焊片尺寸精度高，解决了航天宇航级高可靠性器件共晶装片由于焊片尺寸精度太低造成的失效问题。利用本发明的切割方法在三个小时内即可完成满足工艺要求的焊片切割，有效的缩短了生产周期，且切割方法简单实用、易于实现，可操作性强。
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