公开(公告)号：CN114265465A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202110988416.9

申请日：2021-08-26

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所 ,  中国航天时代电子有限公司

发明人： 张景超 ,  宋奎鑫 ,  王宗民 ,  张志伟 ,  孔瀛 ,  薛钰 ,  王秀芝 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  康磊 ,  柏晓鹤 ,  阳启明

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。

公开(公告)号：CN114265465B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110988416.9

申请日：2021-08-26

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所 ,  中国航天时代电子有限公司

发明人： 张景超 ,  宋奎鑫 ,  王宗民 ,  张志伟 ,  孔瀛 ,  薛钰 ,  王秀芝 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  康磊 ,  柏晓鹤 ,  阳启明

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。

公开(公告)号：CN112542948B

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202011191852.5

申请日：2020-10-30

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 张景超 ,  王秀芝 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  康磊 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明

IPC分类号： H02M3/156 ,  H03F1/52

摘要： 本发明公开了一种新型斜坡补偿电路，包括：斜坡信号产生电路和上管电流采样电路；其中，所述斜坡信号产生电路和所述上管电流采样电路相连接；所述斜坡信号产生电路采用源极跟随器结构保证斜坡电流和输入电压成线性关系，采用了输出电流镜镜像点电位隔离结构，避免了开关转换时镜点电位受到干扰；上管电流采样电路的运放电路采用了BIP晶体管提高了电流检测精度。本发明通过采样上管流过的电流叠加到斜坡信号，实现斜坡补偿，提高了系统的稳定性，减少了系统响应时间。斜坡产生电路采用了源极跟随器结构简化了电路结构，提高了斜坡信号的精确度。上管电流采样电路输入对管采用了面积较大的三极管，减小了失调电压，提高了电流补偿精度。

公开(公告)号：CN112542948A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011191852.5

申请日：2020-10-30

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 张景超 ,  王秀芝 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  康磊 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明

IPC分类号： H02M3/156 ,  H03F1/52

摘要： 本发明公开了一种新型斜坡补偿电路，包括：斜坡信号产生电路和上管电流采样电路；其中，所述斜坡信号产生电路和所述上管电流采样电路相连接；所述斜坡信号产生电路采用源极跟随器结构保证斜坡电流和输入电压成线性关系，采用了输出电流镜镜像点电位隔离结构，避免了开关转换时镜点电位受到干扰；上管电流采样电路的运放电路采用了BIP晶体管提高了电流检测精度。本发明通过采样上管流过的电流叠加到斜坡信号，实现斜坡补偿，提高了系统的稳定性，减少了系统响应时间。斜坡产生电路采用了源极跟随器结构简化了电路结构，提高了斜坡信号的精确度。上管电流采样电路输入对管采用了面积较大的三极管，减小了失调电压，提高了电流补偿精度。

公开(公告)号：CN112416047B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202011126043.6

申请日：2020-10-20

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 康磊 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  张景超 ,  王秀芝 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明 ,  孔瀛 ,  马佩 ,  王胜霞 ,  曹亦栋

IPC分类号： G05F1/575

摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。

公开(公告)号：CN112416047A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011126043.6

申请日：2020-10-20

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 康磊 ,  宋奎鑫 ,  李阳 ,  莫艳图 ,  张景超 ,  王秀芝 ,  柏晓鹤 ,  张志伟 ,  阳启明 ,  孔瀛 ,  马佩 ,  王胜霞 ,  曹亦栋

IPC分类号： G05F1/575

摘要： 本发明公开了一种高电源抑制比和高抗干扰能力的基准电路，包括：偏置电路、预处理电路、基准核心电路、运算放大器和输出级；其中，偏置电路产生偏置电压，用于预处理电路和运算放大器；预处理电路产生初级的不受输入电压影响的稳定电压，将稳定电压输出给基准核心电路和运算放大器；基准核心电路产生零温电压，将零温电压输出给输出级和运算放大器；运算放大器电路使得三极管集电极电压相等，使得基准核心电路正常工作；输出级通过电阻分压，产生不同的基准电压。本发明通过采用偏置电路，进行合理的结构设计，同时引入预处理电路，产生受电源电压影响较小的初级电压，提高低频和高频下的电源抑制比。在敏感节点加入滤波电路，提高抗干扰能力。

公开(公告)号：CN211183396U

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201922108922.5

申请日：2019-11-29

申请人： 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

发明人： 张志伟 ,  宋奎鑫 ,  胡贵才 ,  莫艳图 ,  孔嬴 ,  王秀芝 ,  康磊 ,  曲绍贤 ,  阳启明 ,  柏晓鹤 ,  张景超 ,  李阳

IPC分类号： H02H7/12 ,  H02H3/24

摘要： 本实用新型涉及一种欠压保护电路，包括分压电阻串和比较电路，分压电阻串将电源电压通过串联电阻的分压输出给下一级电路；比较电路通过带隙基准结构产生零温度系数带隙基准电压为1.2V，与分压电阻串输出的电源电压Vcc分压进行比较，在电路中设置P型MOS管M3、M4，控制比较电路的迟滞量。本实用新型欠压保护电路，将普通带隙基准电路与迟滞比较器电路结合在一个电路中,在保证性能的前提下，结构简单、减小了电路的复杂程度、缩小了芯片的面积,增加了设计便利性。