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公开(公告)号：CN114265465B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110988416.9
申请日：2021-08-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所 , 中国航天时代电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN114265465A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110988416.9
申请日：2021-08-26
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所 , 中国航天时代电子有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、基准核心电路和输出级。启动电路可以启动偏置电路，偏置电路可以启动基准核心电路并且产生初级受电源电压影响较小的稳定的电压，用于内部电路供电。基准核心电路产生受工艺和温度影响较小的基准电压，采用启动电路产生的电压，提高了PSRR。本设计在三极管的选择上选择了NPN型的三极管，并将衬底引入的噪音转换成运放的共模输入，大大减小了衬底噪声对基准电压的影响。基准核心电路采用电流镜供电，简化了电路结构，其供电电压与外部输入电压隔离，提高了PSRR。输出级通过电阻分压产生需要的参考电压，经过RC滤波，提高抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN109358295A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811102946.3
申请日：2018-09-20
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： G01R31/40
摘要： 本发明公开了一种应用于DC-DC的电源故障指示电路，包括基准电路、DC-DC反馈网络、故障比较器电路，其中：DC-DC反馈网络，接收DC-DC的输出电压，并通过电阻分压得到传感电压Vsense，将反馈电压Vsense发送至故障比较电压；基准电路，生成基准电压，并将基准电压分压得到四个比较电压信号发送给故障比较电路；故障比较电路，将反馈电压Vsense值分别与第一比较电压信号、第二比较电压信号、第三比较电压信号、第四比较电压信号进行比较，反馈电压Vsense在上升过程中低于第二比较电压或高于第四比较电压，或者是在下降过程中低于第一比较电压或高于第三比较电压，输出“有效”故障标志信号。本发明能有效地监测DC-DC压降型开关电源的输出电压变化。
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公开(公告)号：CN117790498A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311434043.6
申请日：2023-10-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明提供了一种耐负压ESD防护电路，包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时，由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态；当正向ESD事件发生时，电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流；当负向ESD事件发生时，电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时，由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接，因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护，还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流，满足端口耐负压的要求。
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公开(公告)号：CN117081614A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311118168.8
申请日：2023-08-31
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种接收级均衡电路，包括：CTLE均衡电路和增益级电路；其中，CTLE均衡电路与增益级电路串联；CTLE均衡电路和增益级电路中均采用交叉耦合负容结构，可以对寄生电容和负载电容进行补偿，从而实现更宽的带宽和更高的高频增益。
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公开(公告)号：CN113659965B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202110830718.3
申请日：2021-07-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明公开了一种具有可修调滤波功能的比较器电路，包括：比较器用于比较基准电流Iref和输入电流Iin的大小，当基准电流Iref大于输入电流Iin时输出高电平，否则输出低电平；滤波整流电路，用于采用施密特触发器实现滤波抗干扰的功能，当输入信号Iin的变化时长大于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果可以通过施密特触发器；当输入信号的变化时长小于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果无法通过施密特触发器，实现了过滤毛刺的功能；修调电路，用于改变滤波整流电路的工作电流，从而改变施密特触发器的滞回时长。
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公开(公告)号：CN115296527A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210873498.7
申请日：2022-07-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H02M3/00 , H02M1/08 , H03F1/34 , H03K17/693
摘要： 本发明涉及一种基于DC‑DC转换器的输出版本可配置电路，属于DC‑DC转换器电路设计领域；包括电压比例缩放电路、译码器逻辑电路、修调电路、误差放大器和反馈网络；其中，译码器逻辑电路包括第一级逻辑电路、第二级逻辑电路、第一NMOS管矩阵和第二NMOS管矩阵；初始状态，第一NMOS管矩阵和第二NMOS管矩阵中的各NMOS管均为断开状态；电路可根据实际要求通过修调信号调整反馈网络分压电阻比例，进而改变反馈电压Vsense与输出电压VOUT的比例，从而实现不同输出版本的调整；同时通过修调信号调整译码逻辑的电压选择信号，进而改变参考信号Vref，实现不同输出版本及输出电压精度可配置。
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公开(公告)号：CN113659965A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110830718.3
申请日：2021-07-22
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K5/24
摘要： 本发明公开了一种具有可修调滤波功能的比较器电路，包括：比较器用于比较基准电流Iref和输入电流Iin的大小，当基准电流Iref大于输入电流Iin时输出高电平，否则输出低电平；滤波整流电路，用于采用施密特触发器实现滤波抗干扰的功能，当输入信号Iin的变化时长大于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果可以通过施密特触发器；当输入信号的变化时长小于施密特触发器的滞回时长，在比较器产生的比较结果无法通过施密特触发器，实现了过滤毛刺的功能；修调电路，用于改变滤波整流电路的工作电流，从而改变施密特触发器的滞回时长。
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公开(公告)号：CN112542948B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011191852.5
申请日：2020-10-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种新型斜坡补偿电路，包括：斜坡信号产生电路和上管电流采样电路；其中，所述斜坡信号产生电路和所述上管电流采样电路相连接；所述斜坡信号产生电路采用源极跟随器结构保证斜坡电流和输入电压成线性关系，采用了输出电流镜镜像点电位隔离结构，避免了开关转换时镜点电位受到干扰；上管电流采样电路的运放电路采用了BIP晶体管提高了电流检测精度。本发明通过采样上管流过的电流叠加到斜坡信号，实现斜坡补偿，提高了系统的稳定性，减少了系统响应时间。斜坡产生电路采用了源极跟随器结构简化了电路结构，提高了斜坡信号的精确度。上管电流采样电路输入对管采用了面积较大的三极管，减小了失调电压，提高了电流补偿精度。
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公开(公告)号：CN112542948A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011191852.5
申请日：2020-10-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种新型斜坡补偿电路，包括：斜坡信号产生电路和上管电流采样电路；其中，所述斜坡信号产生电路和所述上管电流采样电路相连接；所述斜坡信号产生电路采用源极跟随器结构保证斜坡电流和输入电压成线性关系，采用了输出电流镜镜像点电位隔离结构，避免了开关转换时镜点电位受到干扰；上管电流采样电路的运放电路采用了BIP晶体管提高了电流检测精度。本发明通过采样上管流过的电流叠加到斜坡信号，实现斜坡补偿，提高了系统的稳定性，减少了系统响应时间。斜坡产生电路采用了源极跟随器结构简化了电路结构，提高了斜坡信号的精确度。上管电流采样电路输入对管采用了面积较大的三极管，减小了失调电压，提高了电流补偿精度。
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