一种碳化硅芯片封装结构

    公开(公告)号:CN115497917B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202210935220.8

    申请日:2022-08-05

    Abstract: 本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域,具体涉及一种碳化硅芯片封装结构,包括:芯片本体,包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片,第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层,第一子芯片与第二子芯片之间串联,芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置;印刷线路层,平行设于芯片本体的一侧,第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子;复合绝缘层,平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧,复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层,第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联,串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平,从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。

    一种绝缘灌封方法及功率半导体器件

    公开(公告)号:CN115799085A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211426344.X

    申请日:2022-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘灌封方法及功率半导体器件,该方法包括:在待灌封样品表面形成涂覆层;在待灌封样品形成涂覆层的表面进行第一层灌封,第一层灌封包括第一灌胶和第一脱气处理,第一脱气处理包括多次真空和正压处理;在待灌封样品进行第一层灌封后的表面进行第二层灌封。通过实施本发明,对待灌封样品构建了三道保护防线,其中,形成的涂覆层能够降低局放起始电压,第一层灌封能够对待灌封样品进行绝缘保护,第二层灌封起到支撑和导热作用,同时能够更好的隔绝外部环境水汽,提高器件可靠性。并且,在进行第一层灌封时,第一脱气处理采用真空和正压反复处理,能够通过改变气体的逃逸系数,促使气泡排除/破裂,从而实现无缺陷灌封。

    一种碳化硅芯片封装结构

    公开(公告)号:CN115497917A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210935220.8

    申请日:2022-08-05

    Abstract: 本发明涉及高压碳化硅芯片封装技术领域,具体涉及一种碳化硅芯片封装结构,包括:芯片本体,包括层叠设置的第一子芯片和第二子芯片,第一子芯片与第二子芯片之间设有芯片绝缘层,第一子芯片与第二子芯片之间串联,芯片导电件贯穿芯片绝缘层设置;印刷线路层,平行设于芯片本体的一侧,第一子芯片与印刷线路层之间连接有发射极引出端子;复合绝缘层,平行设于芯片本体背离印刷线路层的一侧,复合绝缘层朝向芯片本体的一面设有复合导电层,第二子芯片与复合导电层之间电气连接。针对碳化硅芯片高绝缘、低感封装需求采用芯片绝缘板实现中低压碳化硅芯片的串联,串联后的芯片器件能够提高器件整体电压水平,从而实现利用现有低压芯片进行高压封装。

    能源互联网的协同优化决策方法、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114977326A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210706842.3

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 一种能源互联网的协同优化决策方法、系统、设备及存储介质,方法包括设置奖励机制寻找最优策略,以最优策略作为智能体深度强化学习的训练目标,对区域能源互联网运行优化模型进行求解,得到最优解作为动作策略;智能体根据能源互联网当前的运行状态,取相似性度量最小值所对应运行状态的动作策略作为深度强化学习训练的初值进行训练,给出训练后相应的动作策略;将动作策略传递给环境后,运行状态过渡到下一时刻的状态,通过设置的奖励机制和动作约束条件,给予动作策略的好坏进行相应奖励,通过迭代训练,得到深度强化学习模型;利用深度强化学习模型基于运行状态相似度对各时刻动作协同优化决策。本发明能够实现能源互联网的快速精准优化调度。

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