公开(公告)号：CN117438382A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311491470.8

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 王亮 ,  梁玉 ,  周扬 ,  李文源 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  马慧远 ,  陈巍

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。

公开(公告)号：CN118969739A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411438306.5

申请日：2024-10-15

Applicant: 北京怀柔实验室 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 李文源 ,  张朋 ,  李学宝 ,  金锐 ,  崔翔 ,  李哲洋 ,  赵志斌 ,  郑超

IPC: H01L23/057 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49 ,  H01L23/08

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。

公开(公告)号：CN104362141B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410693404.3

申请日：2014-11-26

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1‑1)与第一辅助件(1‑6)、至少一个第二辅助件(1‑2)、至少一个第三辅助件(1‑3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。

公开(公告)号：CN104362141A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410693404.3

申请日：2014-11-26

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。

公开(公告)号：CN204230238U

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201420721791.2

申请日：2014-11-26

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC: H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本实用新型涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。