公开(公告)号：CN117438382A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311491470.8

申请日：2023-11-10

申请人： 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 王亮 ,  梁玉 ,  周扬 ,  李文源 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  马慧远 ,  陈巍

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

摘要： 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。

公开(公告)号：CN104362141A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410693404.3

申请日：2014-11-26

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

摘要： 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。

公开(公告)号：CN104362141B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201410693404.3

申请日：2014-11-26

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

摘要： 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1‑1)与第一辅助件(1‑6)、至少一个第二辅助件(1‑2)、至少一个第三辅助件(1‑3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。

公开(公告)号：CN204230238U

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201420721791.2

申请日：2014-11-26

申请人： 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网北京市电力公司

发明人： 韩荣刚 ,  张朋 ,  刘文广 ,  李现兵

IPC分类号： H01L25/11 ,  H01L23/04 ,  H01L23/367

摘要： 本实用新型涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本实用新型涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。