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公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
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公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
Abstract: 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
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公开(公告)号：CN114611285A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210228763.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种功率器件热阻模型构建方法、装置及存储介质，该方法包括：根据预设器件材料参数和预设接触导热系数进行稳态热仿真分析，确定器件材料参数和接触导热系数，建立结－壳热阻模型；根据预设壳－散热器热阻确定的预设散热导热系数进行稳态热仿真分析，确定散热导热系数，建立壳－散热器热阻模型；根据预设固定功率进行瞬态热仿真分析，确定器件材料参数中的密度和热容，建立结－壳热容模型；根据结－壳热阻模型、结－壳热阻抗模型以及壳－散热器热阻模型确定功率器件热阻模型。通过实施本发明，采用构建的功率器件热阻模型进行仿真计算可以预判器件在特定工况下最高结温，为器件匹配合理的散热条件，缩短研发周期。
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公开(公告)号：CN119340220B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411890620.7
申请日：2024-12-20
IPC: H01L21/56 , H01L21/687 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的加工方法、用于半导体器件加工的夹具，其中，半导体器件的加工方法包括：得到基体；在基体上设置芯片；在基体上形成封装体，封装体具有顶部通孔，顶部通孔露出芯片的测温区域；在顶部通孔内穿设止挡件，止挡件的端部遮住测温区域；在封装体、基体以及止挡件之间填充绝缘胶体。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中测量半导体器件的结温时，需要去除半导体器件的外壳而导致半导体器件可能受到损伤的问题。
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公开(公告)号：CN119028935B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411509868.4
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿功率模块的长度方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有芯片；其中，功率模块还包括片状的第一互连片和第二互连片，芯片的上表面通过第一互连片与第一导电结构和/或第二导电结构导电连接，第一导电结构通过第二互连片与第二导电结构导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的散热能力较差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119028936A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509870.1
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/52
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及具有其的功率器件，该功率模块包括衬板和多个芯片，衬板上设置有第一导电结构和第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构均为轴对称结构，第一导电结构和第二导电结构的对称轴均沿第一方向延伸，第一导电结构和第二导电结构上均设置有多个芯片，第一导电结构上的多个芯片和第二导电结构上的多个芯片均在对称轴的两侧对称排布。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的芯片布局位置较为集中的问题。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN115911011B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211405501.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
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