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公开(公告)号：CN116759400A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310395190.0
申请日：2023-04-13
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/48
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
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公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
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公开(公告)号：CN115188722A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210839504.7
申请日：2022-07-15
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/32
摘要： 本申请提供一种用于半导体芯片封装的结构，包括：基板；在所述基板的上表面上设置有凹槽，所述凹槽内设置有芯片载台，在所述芯片载台上设置有半导体芯片；在所述基板的上表面上还设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述基板的一侧表面设置有导电层，所述导电层与所述半导体芯片电连接；壳体，所述壳体罩设于所述基板上且在所述壳体内形成容纳半导体芯片、芯片载台、绝缘层和导电层的空腔，在所述空腔内填充有塑封料；导电端子，所述导电端子的一端与所述导电层连接，所述导电端子的另一端暴露在壳体外。本申请通过减少半导体芯片产生的热量在向外传输的过程中所经过的界面数量，降低了接触热阻，改善了散热效果。
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公开(公告)号：CN117995676A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211358623.7
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/308 , H01L29/06
摘要： 一种制备平缓的碳化硅斜面的方法及终端结构，包括：在碳化硅晶圆表面生长掩膜介质层，在所述掩膜介质层上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻处理，得到具有预设倾角的斜面形貌的光刻掩膜；基于所述光刻掩膜，对所述掩膜介质层进行湿法腐蚀，得到具有所述倾角的掩膜介质层形貌；根据所述掩膜介质层形貌对应的倾角，对所述碳化硅晶圆进行干法刻蚀，得到具有目标倾角的碳化硅斜坡。本发明通过将湿法腐蚀和干法腐蚀进行结合，对碳化硅晶圆进行全面刻蚀，最终得到一个平缓的碳化硅斜面；通过本发明的方法能够获得一个平缓的斜面碳化硅形貌，且这种形貌用于终端时，可以使曲率半径变大，电场分散，可以较好的减轻主结电场集中效应。
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公开(公告)号：CN117747675A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410187565.9
申请日：2024-02-20
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请公开了一种肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括：漂移层，多个掺杂区和接触金属，其中漂移层位于衬底的一侧，漂移层具有第一掺杂类型；多个掺杂区位于漂移层中，各掺杂区包括一一对应接触的第一子掺杂区和第二子掺杂区，第二子掺杂区的掺杂浓度大于第一子掺杂区的掺杂浓度，掺杂区具有第二掺杂类型；接触金属位于第一表面上，接触金属与至少一个第二表面接触，接触金属与第二子掺杂区接触形成类欧姆接触，提高了肖特基二极管的高抗浪涌电流特性，本申请在未增加工艺步骤的前提下，通过提升掺杂区注入浓度使得第二子掺杂区的与接触金属之间形成类欧姆接触，从而在正向电压较大时，使肖特基二极管中的，体现出高抗浪涌电流特性。
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公开(公告)号：CN117538795A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311651702.1
申请日：2023-12-05
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网重庆市电力公司电力科学研究院
摘要： 本发明公开了一种IGBT功率器件的短路测试方法、装置、控制器及介质，短路测试方法包括：在第一预设时刻控制所述第二二极管导通，并控制所述第二供电模块给所述待测IGBT器件的续流二极管提供浪涌电流；在第二预设时刻向所述待测IGBT器件发送短路控制信号，并控制所述第一二极管导通和所述第一供电模块工作，以使所述待测IGBT器件承受短路电流，其中，所述第一预设时刻小于所述第二预设时刻；对处于短路状态下的待测IGBT器件进行短路测试，得到三类短路测试结果；根据本发明提供的技术方案，能够大大提高IGBT功率器件短路测试的准确性。
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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN118039467A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366766.2
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/265 , H01L29/06
摘要： 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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