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公开(公告)号：CN117013811A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210466178.X
申请日：2022-04-29
申请人： 北京机械设备研究所
摘要： 本发明涉及一种自适应调节的滤波电路，属于开关电源技术领域，解决了现有技术中滤波电路在负载功率变化时不能持续保持低纹波电压且功率损耗大的技术问题。本申请提供了一种自适应调节的滤波电路，该电路包括DSP、n级LC滤波电路、与每一级LC滤波电路对应的继电器、每一继电器的控制电路；所述继电器并联在各级LC滤波电路的电感L的两侧；所述DSP用于检测负载功率并根据负载功率生成各继电器的控制信号，并将该控制信号发送至各继电器的控制电路，各控制电路根据所述控制信号控制各级LC滤波电路继电器K的通断，以形成不同的滤波模式。实现了根据负载功率自动切换不同等级滤波电路，从而使纹波电压稳定在较小状态，且减小功率损耗的有益效果。
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公开(公告)号：CN115542031A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110732253.8
申请日：2021-06-29
申请人： 北京机械设备研究所
摘要： 本发明涉及一种取力发电装置上电自检方法，解决了现有技术中仍需要通过增加硬件的方式进行取力发电装置上电自检的问题。该方法包括：预先获取取力发电装置电机侧和逆变侧的实际阻抗值和母线电压期望值；开启发电侧和逆变侧的三相高频IGBT控制信号；获取取力发电装置中的有效参数和第一母线电压值；根据所述三相高频IGBT控制信号和所述有效参数计算所述取力发电装置的计算阻抗值；判断所述计算阻抗值与实际阻抗值和所述第一母线电压值和母线电压期望值是否相符，若不相符则判断取力发电装置故障；若持续第一预设时间无故障，则进入恢复自检状态，在不增加硬件的基础上实现取力发电装置的上电自检。
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公开(公告)号：CN103958006B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201380004042.6
申请日：2013-07-16
申请人： 北京机械设备研究所
CPC分类号： A62C3/025 , A62C3/00 , A62C8/005 , A62C27/00 , A62C37/00 , B05B12/00 , G01S17/08 , G01S17/88
摘要： 本申请公开了一种适用于高层和超高层建筑火灾扑救消防车的控制方法，包括：指控设备(2)、发控设备(3)、转塔控制装置(8)、光电探测设备(9)，其中，光电探测设备(9)包括：安装壳体、电源、变焦白光摄像头、红外摄像头、激光测距机、综合处理单元，变焦白光摄像头通过螺钉与安装壳体连接，红外摄像头通过螺钉与安装壳体连接，激光测距机通过螺钉与安装壳体连接，变焦白光摄像头的供电接口通过导线与电源连接，红外摄像头的供电接口通过导线与电源连接，激光测距机的供电接口通过导线与电源连接，变焦白光摄像头的数据接口通过导线与综合处理单元连接，红外摄像头的数据接口通过导线与综合处理单元连接，激光测距机的数据接口通过导线与综合处理单元连接。
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公开(公告)号：CN115549448A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110727363.5
申请日：2021-06-29
申请人： 北京机械设备研究所
摘要： 本发明涉及一种快速主动抑制SiC MOSFET串扰的驱动电路及控制方法，属于电力电子驱动技术领域，解决了现有技术在串扰抑制过程中会减缓关断速度和增加关断损耗以及抑制串扰的可靠性较低的问题。电路包括与上管SiC MOSFET连接的第一串扰抑制电路和与下管SiC MOSFET连接的第二串扰抑制电路；所述第一串扰抑制电路，用于根据接收的驱动下管SiC MOSFET的第二PWM控制信号进行通断，以调整上管SiC MOSFET处于关断状态,下管SiC MOSFET开通时，上管SiC MOSFET的门极电压，抑制上管SiC MOSFET的开通；所述第二串扰抑制电路，用于根据接收的驱动上管SiC MOSFET的第一PWM控制信号进行通断，以调整下管SiC MOSFET处于关断状态,上管SiC MOSFET开通时，下管SiC MOSFET的门极电压，抑制下管SiC MOSFET的开通。
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公开(公告)号：CN103958007B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380004050.0
申请日：2013-07-16
申请人： 北京机械设备研究所
CPC分类号： A62C3/025 , A62C3/00 , A62C8/005 , A62C27/00 , A62C37/00 , B05B12/00 , G01S17/08 , G01S17/88
摘要： 本申请公开了一种适用于高层和超高层建筑火灾扑救消防车的控制系统，包括：指控设备(2)、发控设备(3)、转塔控制装置(8)、光电探测设备(9)，其中，光电探测设备(9)包括：安装壳体、电源、变焦白光摄像头、红外摄像头、激光测距机、综合处理单元，变焦白光摄像头通过螺钉与安装壳体连接，红外摄像头通过螺钉与安装壳体连接，激光测距机通过螺钉与安装壳体连接，变焦白光摄像头的供电接口通过导线与电源连接，红外摄像头的供电接口通过导线与电源连接，激光测距机的供电接口通过导线与电源连接，变焦白光摄像头的数据接口通过导线与综合处理单元连接，红外摄像头的数据接口通过导线与综合处理单元连接，激光测距机的数据接口通过导线与综合处理单元连接。
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公开(公告)号：CN116973648A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210429259.2
申请日：2022-04-22
申请人： 北京机械设备研究所
摘要： 本发明涉及一种发电控制系统的放电自检方法，属于发电控制系统自检技术领域，用于解决现有放电自检方法无法完成若干自检功能的问题。该方法包括：系统上电后，对系统进行上电自检：若监测到高压母线接触器闭合、且电机转速的绝对值小于电机启动转速阈值，进入零漂自检状态；零漂自检状态通过后，进入阻抗自检状态，开启三相高频IGBT控制信号，以进行阻抗自检；阻抗自检状态通过后，关闭三相高频IGBT控制信号；系统下电后，对系统进行下电自检：进入阻抗自检状态；阻抗自检状态通过后，基于所述三相高频IGBT控制信号对所述系统进行预定时长的下电主动放电，进入下电主动放电自检状态；下电主动放电自检状态通过后，关闭三相高频IGBT控制信号。
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公开(公告)号：CN115549449A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110727418.2
申请日：2021-06-29
申请人： 北京机械设备研究所
摘要： 本发明涉及一种具备抑制SiC MOSFET串扰的电机装置及控制方法，属于电机控制技术领域，解决了现有技术电机在串扰抑制过程中会减缓关断速度和增加关断损耗以及抑制串扰的可靠性较低的问题。包括电机，一端与上管SiC MOSFET源极和下管SiC MOSFET漏极连接，另一端分别经第六电容与上管SiC MOSFET的漏级连接，经第七电容与下管SiC MOSFET源级连接；所述第一串扰抑制电路，用于根据反转控制信号进行通断，以调整上管SiC MOSFET处于关断状态,下管SiC MOSFET开通时，上管SiC MOSFET的门极电压，抑制上管SiC MOSFET的开通；所述第二串扰抑制电路，用于根据接收的正转控制信号进行通断，以调整下管SiC MOSFET处于关断状态,上管SiC MOSFET开通时，下管SiC MOSFET的门极电压，抑制下管SiC MOSFET的开通。
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公开(公告)号：CN107838825A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710859639.9
申请日：2017-09-21
申请人： 北京机械设备研究所
IPC分类号： B25B11/00
CPC分类号： B25B11/00
摘要： 一种用于空间环境的扭矩可调式旋转定位装置，所述装置包括支架，固定装置，旋转装置和扭矩调节机构；其中：所述支架与固定装置连接，旋转装置与支架可转动连接，所述支架上设置有扭矩调节机构，通过扭矩调节机构实现旋转装置与支架之间的旋转扭矩调节。本发明解决了传统空间环境大型结构件旋转装置定位准确性差、定位结构复杂、操作不便的问题，本发明结构简单，操作方便，在空间环境下能够顺利完成大型结构件的旋转和自动定位，同时还可根据需要进行扭矩调节，满足不同锁定扭矩需求的要求。
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