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公开(公告)号：CN111130486A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911265618.X
申请日：2019-12-11
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，包括：确定待形成的薄膜体声波谐振器之间的连接方式；刻蚀基底形成凹槽并在凹槽内填充牺牲层；形成覆盖基底的叠层结构并对叠层结构进行刻蚀，在每一凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的叠层单元之间形成第一连接部；对刻蚀叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构；在叠层单元上形成第一上电极以及在待形成的以第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的第一上电极之间形成第二连接部；刻蚀第一连接部；去除填充结构以及牺牲层。本发明还提供了一种薄膜体声波谐振器结构、滤波器和双工器。本发明有效降低了器件的声波损失。
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公开(公告)号：CN110995188A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911245331.0
申请日：2019-12-06
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的键合层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫；有机材料的封盖层，位于键合层上。依照本发明的谐振器封装结构，采用沉积工艺制备的键合层替代Si盖板而取消了Au-Au键合，再结合有机封盖层以降低成本、简化工艺并提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN110994099A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911245326.X
申请日：2019-12-06
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种滤波器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的封盖层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫。依照本发明的滤波器封装结构，采用沉积工艺制备的盖层替代Si盖板而取消了Au-Au键合，降低了成本，简化了工艺，提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN110855264A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911244470.1
申请日：2019-12-06
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器封装结构，包括位于衬底中的谐振空腔，位于衬底上并覆盖谐振空腔的压电膜，位于衬底上且连接压电膜的焊垫，位于焊垫之上的间隔件，位于间隔件之上的封盖层，其中封盖层和/或间隔件为有机材料，焊垫不含贵金属。依照本发明的谐振器封装结构，采用预制厚度的双层膜取代硅盖板用作间隔件和封盖层，降低了成本，简化了工艺，提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN110635775A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910851524.4
申请日：2019-09-10
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架，位于第一电极下方或上方和/或第二电极上方或下方，框架的厚度沿垂直方向渐变。依照本发明的谐振器，利用倾斜缓变的框架，以简单的制作工艺高效地提升了FBAR器件的Q值，提高了工艺兼容性和谐振器结构的稳定性。
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公开(公告)号：CN110994099B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201911245326.X
申请日：2019-12-06
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种滤波器封装结构，包括：谐振空腔，位于衬底中；压电膜，位于衬底上并覆盖谐振空腔；焊垫，位于衬底上且连接压电膜；沉积或涂布工艺制备的封盖层，位于衬底之上并至少覆盖焊垫。依照本发明的滤波器封装结构，采用沉积工艺制备的盖层替代Si盖板而取消了Au‑Au键合，降低了成本，简化了工艺，提高了封装可靠性。
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公开(公告)号：CN110635776A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910854492.3
申请日：2019-09-10
申请人： 北京汉天下微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种谐振器，包括：第一电极，位于基板上；压电层，位于第一电极上；第二电极，位于压电层上；框架图形，位于第二电极与压电层之间，其中第二电极在框架图形下方具有侧向突出部以围绕在框架图形与压电层之间的空气隙。依照本发明的谐振器，仅采用一次光刻-蚀刻工艺、利用框架结构作为空气桥的掩模而侧向腐蚀，并利用上电极沉积的侧向填充能力形成有效框架结构，减少了与压电材料接触的工艺步骤，降低了对压电材料的损伤，提高了压电层表面洁净度，并解决了光刻对位偏移对于框架结构的影响。
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