利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

5 条记录 (耗时 0.022 秒)

    一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器及其制备方法
    1.
    发明公开
    一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器及其制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN118507440A

    公开(公告)日：2024-08-16

    申请号：CN202410578982.6

    申请日：2024-05-10

    申请人： 北京科技大学

    发明人： 魏俊俊 ,  韦欣怡 ,  冯旭瑞 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  陈良贤 ,  李成明

    IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48 ,  B82Y40/00

    摘要： 本发明提供了一种碳纳米管增强金刚石微通道散热器及其制备方法，涉及高热流密度电子器件散热技术领域，包括表面具有凹槽微通道的金刚石板，凹槽微通道的通道壁表面生长有垂直取向的碳纳米管，通过利用化学气相沉积方法实现高质量自支撑金刚石膜生长；机械研磨控制自支撑金刚石膜厚度及表面质量；采用激光技术加工获得满足尺寸及规格要求的金刚石块以及不同尺寸及形状的金刚石微通道；在金刚石微通道内部生长高取向碳纳米管并进行浸润性调整，提升金刚石微通道表面与传热工质热交换性能。本发明实现了金刚石微槽道更大的散热面积与更高的传热效率，可以应用于电子芯片、光伏电池、卫星等需要高热排散效率的微电子设备。

    一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法
    3.
    发明公开
    一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116344357A

    公开(公告)日：2023-06-27

    申请号：CN202310414692.3

    申请日：2023-04-18

    申请人： 北京科技大学

    发明人： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  梁礼峰 ,  王越 ,  董春燕 ,  韦欣怡 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

    IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/427 ,  H01L23/373 ,  B81C1/00

    摘要： 本发明公开一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉的制备方法，所述方法采用研磨抛光双面金刚石自支撑板为基底，通过甩胶、曝光、显影、ICP刻蚀、激光切割获得表面带有微空腔支柱的金刚石底板；再将钼粉填充至底板的微空腔支柱内和支柱间隙且填充钼粉与底板外沿高度一致，以CVD技术继续生长金刚石，之后对底板进行封装使其具有一定的厚度；最终通过超声酸洗去除钼粉，获得一体化金刚石微空腔支柱阵列强化池热沉。该产品能够有效进行沸腾能量传递，在能量应用中具有巨大的效用。同时克服了长久以来的通过金刚石微通道提高散热的技术偏见，避免了现有技术中诸多降低散热效率的缺陷，进一步提高了HTC和CHF，利于工业大规模推广和使用。

    一种歧管式金刚石-碳纳米管微通道散热器及制备方法
    4.
    发明公开
    一种歧管式金刚石-碳纳米管微通道散热器及制备方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115752063A

    公开(公告)日：2023-03-07

    申请号：CN202211409166.X

    申请日：2022-11-11

    申请人： 北京科技大学

    发明人： 魏俊俊 ,  冯旭瑞 ,  杨志亮 ,  陈良贤 ,  张建军 ,  刘金龙 ,  李成明

    IPC分类号： F28D21/00 ,  F28F21/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C28/00

    摘要： 本发明公开一种歧管式金刚石‑碳纳米管微通道散热器及制备方法，属于高热流密度电子器件散热的技术领域。所述三维网所述歧管式金刚石‑碳纳米管微通道散热器包括从上到下依次设置的封装盖板、分流基板、微通道基板和封装底板，所述微通道基板由焊接设置的金刚石板组合而成，所述微通道基板中的歧管式金刚石微通道具有高深宽比，所述分流基板内外表面和所述微通道基板的内外表面除过金刚石板连接面均设置一层石蜡包覆层，所述封装盖板、所述分流基板、所述微通道基板和所述封装底板的表面沉积有Ti‑Ni过渡层，所述微通道基板中的歧管式金刚石微通道上设置有碳纳米管。本发明的金刚石微通道接触热源比表面积较大，因此热排散效率高。