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公开(公告)号：CN115467026A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202211228536.X
申请日：2022-10-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/22 , C30B25/06 , C30B25/16 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜及其制备工艺。该Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜的分子式为BixSm1‑xMeO3，其中，x的取值为：0.5，Me为过渡金属元素。具体制备过程为：通过磁控溅射法，使用Sm基陶瓷靶材，在调控衬底温度范围为500‑700℃的生长条件下，制备成分可调控的BixSm1‑xMeO3薄膜。本发明的有益效果是：本发明的薄膜通过该工艺可以调控Sm基室温铁电外延薄膜的A位元素Sm与Bi的相对比例，得到典型的双钙钛矿薄膜，其分子式为Bi0.5Sm0.5MeO3。所述调控和制备方法过程简单，工艺可控，可重复性强，靶材可多次重复使用。
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公开(公告)号：CN115467026B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202211228536.X
申请日：2022-10-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: C30B29/22 , C30B25/06 , C30B25/16 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体材料领域，公开了一种Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜及其制备工艺。该Sm基双钙钛矿室温铁电外延薄膜的分子式为BixSm1‑xMeO3，其中，x的取值为：0.5，Me为过渡金属元素。具体制备过程为：通过磁控溅射法，使用Sm基陶瓷靶材，在调控衬底温度范围为500‑700℃的生长条件下，制备成分可调控的BixSm1‑xMeO3薄膜。本发明的有益效果是：本发明的薄膜通过该工艺可以调控Sm基室温铁电外延薄膜的A位元素Sm与Bi的相对比例，得到典型的双钙钛矿薄膜，其分子式为Bi0.5Sm0.5MeO3。所述调控和制备方法过程简单，工艺可控，可重复性强，靶材可多次重复使用。
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公开(公告)号：CN119287498A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411193403.2
申请日：2024-08-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于多铁薄膜材料领域，公开了一种Bi/Sm基有序室温多铁双钙钛矿外延复合薄膜及其制备工艺。该Bi/Sm基有序室温多铁双钙钛矿外延薄膜的分子式为BiSmCoMeO6，具体制备为：通过磁控溅射法，保持总气体流量不变，在调控氧气/氩气比例的生长条件下，制备第二相可控的Co(BiMe)O4/BiSmCoMeO6复合薄膜，在两相界面处为BiSmCoMeO6室温多铁双钙钛矿外延薄膜引入Bi/Sm化学岩盐有序区。本发明的有益效果是，本发明在调控溅射偏角实现复合薄膜的自发复合性的基础上，结合调控氧气/氩气比例进而引入尖晶石第二相调控Bi/Sm基有序室温多铁双钙钛矿外延薄膜的A位元素有序，不同有序度应具有不同的性质。推动了A位有序双钙钛矿薄膜在多铁薄膜领域的发展。
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公开(公告)号：CN115182034A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210688478.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于信息功能材料、功能薄膜和柔性电子技术领域，涉及一种基于化学法制备自支撑BaTiO3单晶薄膜的工艺，该工艺为：在不同单晶基片上，采用化学旋涂的方式首先在基片上外延生长Sr3Al2O6/BaTiO3结构；利用Sr3Al2O6的可溶于水的特性，将其浸泡在去离子水中12h小时以上，充分溶解即可得到自支撑BaTiO3单晶薄膜。本申请可以通过控制前驱液浓度、旋涂转速、退火次数调控单晶薄膜厚度；在使用化学旋涂法生长BaTiO3单晶薄膜过程中不会对Sr3Al2O6薄膜层造成损害。该方法适用于大面积柔性功能层的剥离，对全化学法制备自支撑氧化物钙钛矿单晶薄膜具有重要意义。
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