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公开(公告)号：CN106549064A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610885644.2
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/861 , H01L29/0688 , H01L29/12 , H01L29/6609 , H01L29/66128
Abstract: 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102856196A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210303678.8
申请日：2012-08-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L41/253 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电势作为调节源漏电流的门电压。这个基于纳米线阵列的压电场效应晶体管是一个不需要提供外接门电压的FET，是一种制备由应变、应力或压强驱动和控制的电子器件和传感器的新方法。该器件的制作成本低、方法简单、效率高，与单根纳米线的器件相比，本发明构建的FET可在宏观条件下使用，不需纳米操控平台等精密设备，对操作的要求低，密度较大的纳米线使得器件稳定性更好，寿命更长，可应用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106299123B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610887107.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定温度下干燥后用有机溶剂浸泡除去电子束光刻胶，用大量去离子水冲洗后得在基底上图案化的有机电极PEDOT:PSS，实现图案化有机电极PEDOT:PSS。本发明提供的方法使有机电极PEDOT:PSS图案化的精度达到10nm，同时摆脱了光刻胶残留缺陷和反应离子刻蚀损伤问题，为有机电极的图案化道路探索了一条新思路，同时为有机电极的大规模应用奠定了广泛的基础。
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公开(公告)号：CN106549064B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610885644.2
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。
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公开(公告)号：CN102856196B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201210303678.8
申请日：2012-08-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L41/253 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电势作为调节源漏电流的门电压。这个基于纳米线阵列的压电场效应晶体管是一个不需要提供外接门电压的FET，是一种制备由应变、应力或压强驱动和控制的电子器件和传感器的新方法。该器件的制作成本低、方法简单、效率高，与单根纳米线的器件相比，本发明构建的FET可在宏观条件下使用，不需纳米操控平台等精密设备，对操作的要求低，密度较大的纳米线使得器件稳定性更好，寿命更长，可应用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106299123A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610887107.1
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01L51/05 , G03F7/20 , H01L51/102
Abstract: 本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定温度下干燥后用有机溶剂浸泡除去电子束光刻胶，用大量去离子水冲洗后得在基底上图案化的有机电极PEDOT:PSS，实现图案化有机电极PEDOT:PSS。本发明提供的方法使有机电极PEDOT:PSS图案化的精度达到10nm，同时摆脱了光刻胶残留缺陷和反应离子刻蚀损伤问题，为有机电极的图案化道路探索了一条新思路，同时为有机电极的大规模应用奠定了广泛的基础。
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