公开(公告)号：CN106463541B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201580026596.5

申请日：2015-05-21

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 堀川信之 ,  楠本修 ,  林将志 ,  内田正雄

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

摘要： 碳化硅半导体装置包括晶体管区域、二极管区域、栅极布线区域、以及栅极焊盘区域。栅极焊盘区域和栅极布线区域分别配置为被与晶体管区域相邻的二极管区域和与终端区域相邻的二极管区域夹着，栅极焊盘区域和栅极布线区域的栅极电极形成在绝缘膜上，绝缘膜形成在外延层上。由此，能够在不使栅极绝缘膜的品质下降的情况下抑制切换以及雪崩击穿时栅极区域中的绝缘膜的绝缘击穿。

公开(公告)号：CN108780815A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780017450.3

申请日：2017-03-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 林田哲郎 ,  南条拓真

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 本发明的第一绝缘层(41)设置在半导体基板(31)的第二面(P2)上，具有开口部(OP)。第二绝缘层(6)设置在第二面(P2)，与第一绝缘层(41)分离。层叠体(51)在第二面(P2)上，由氮化镓类材料制成，依次具有侧部n型外延层(7)和第一以及第二p型外延层(8、9)。层叠体(51)具有由第二p型外延层(9)构成的部分的外侧侧壁(SO)、从第二绝缘层(6)延伸的内侧侧壁(SI)以及顶面(ST)。n型接触层(12)设置于顶面(ST)上。源电极部(14)在顶面(ST)上与n型接触层(12)接触，且在外侧侧壁(SO)上与第二p型外延层(9)接触。栅极绝缘膜(16)设置于内侧侧壁(SI)上。

公开(公告)号：CN108475677A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007370.X

申请日：2017-01-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

摘要： 半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。

公开(公告)号：CN107924823A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680049960.4

申请日：2016-08-02

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 和田圭司 ,  土井秀之 ,  伊东洋典

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： C30B25/08 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2053 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78

摘要： 在形成碳化硅层的步骤中，当X轴代表以百分比表示通过将硅烷的流量除以氢气的流量而获得的值的第一值且Y轴代表以sccm表示氨气的流量的第二值时，所述第一值和所述第二值落在由XY平面坐标中的第一坐标、第二坐标、第三坐标和第四坐标包围的四边形区域内。所述第一坐标为(0.05，6.5×10-4)。所述第二坐标为(0.05，4.5×10-3)。所述第三坐标为(0.22，1.2×10-2)。所述第四坐标为(0.22，1.3×10-1)。在所述形成碳化硅层的步骤之后，所述碳化硅层的载流子浓度的平均值为1×1015cm-3以上且2×1016cm-3以下。

公开(公告)号：CN107799584A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

申请人： 流慧株式会社

发明人： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L29/12 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN107431094A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019148.7

申请日：2016-02-08

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中野佑纪

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。

公开(公告)号：CN107099283A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710054475.2

申请日：2014-03-13

申请人： 纳米技术有限公司

发明人： 马修·沃纳 ,  纳瑟莉·格雷斯蒂 ,  奈杰尔·皮克特 ,  保罗·乔克 ,  詹姆斯·哈里斯 ,  伊马德·纳萨尼

IPC分类号： C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C23C16/442 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L33/502 ,  B82Y30/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  C09K11/565 ,  C09K11/70 ,  C23C16/30 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/442 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  H01L29/12 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/035218 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  Y10S977/774 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/703 ,  C23C16/40

摘要： 本文公开了包覆珠，所述包覆珠由初级基质材料制成并且含有大量量子点纳米粒子。每个珠具有多层表面包覆层。所述层可以为两种以上不同的表面包覆层材料。所述表面包覆层材料可以为无机材料和/或聚合物材料。还描述了一种制备这样的粒子的方法。所述包覆珠对于用于诸如发光装置的应用的复合材料是有用的。

公开(公告)号：CN107017309A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710234816.4

申请日：2017-04-12

申请人： 青岛大学

发明人： 单福凯 ,  聂生斌 ,  刘奥 ,  朱慧慧 ,  刘国侠

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24

CPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742

摘要： 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种溶液法制备三元p型金属氧化物薄膜晶体管的方法，用于三元p型金属氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管制备场合；解决传统TFT器件载流子迁移率低，制备成本昂贵，反应条件苛刻的难题，实现低成本制备高性能低能耗的三元p型金属氧化物薄膜晶体管，制得的产物为Ni/CuCrO2/SiO2/Si结构的薄膜晶体管；用低阻硅作为衬底，用致密的SiO2作为栅介电层，采用“两步退火”技术和溶胶凝胶技术制备三元p型CuCrO2半导体薄膜作为沟道层；其工艺简单，原理可靠，节能环保，制备成本低廉，产品性能好，能够用于工业化生产，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。

公开(公告)号：CN106549064A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610885644.2

申请日：2016-10-11

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  张先坤 ,  张铮 ,  刘硕 ,  林沛 ,  申衍伟 ,  杜君莉 ,  柳柏杉

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/12 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128

摘要： 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。

公开(公告)号：CN106252416A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610674419.4

申请日：2012-03-07

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  渡边友胜 ,  多留谷政良 ,  海老池勇史 ,  今泉昌之 ,  绫淳

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7845 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。