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公开(公告)号：CN108305773A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711417664.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 宁波韵升股份有限公司 , 北京科技大学 , 宁波韵升磁体元件技术有限公司 , 包头韵升强磁材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，首先将熔点温度为400-900℃、且含有至少一种稀土元素的合金加热至熔融，合金的加热温度高于合金的熔点温度且低于1000℃，然后将预热至温度为800℃-1000℃的烧结钕铁硼磁体浸入扩散源中，浸泡时间不超过30s，接着烧结钕铁硼磁体拉出扩散源的液面后，采用风刀将温度为800℃-1000℃的惰性气体喷射到烧结钕铁硼磁体表面，最后对烧结钕铁硼磁体不降温，先在800℃-1000℃条件下对进行晶界扩散处理，然后在450℃-550℃条件下进行低温回火处理；优点是扩散效率高，且过渡流转环节少，工艺过程简单，连续性强。
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公开(公告)号：CN108305772A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711416008.6
申请日：2017-12-25
Applicant: 宁波韵升股份有限公司 , 北京科技大学 , 宁波韵升磁体元件技术有限公司 , 包头韵升强磁材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种烧结钕铁硼磁体晶界扩散的方法，首先将扩散源附着在烧结钕铁硼磁体表面形成涂层，然后进行脱氢处理，最后对涂层进行扩散处理，扩散源为R1-R2-M型合金的氢化物粉末，R1-R2-M型合金的熔点为400-800℃，R1为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素或者为La、Ce、Nd和Pr中的至少一种稀土元素与除La、Ce、Nd和Pr以外的其他一种或者多种稀土元素的混合物，R2为Tb、Dy和Ho中的至少一种元素，M为Cu、Al和Ga中的至少一种元素或者为Cu、Al和Ga中的至少一种元素与除Cu、Al和Ga以外的其他一种或者多种非稀土元素的混合物，脱氢处理的真空度优于10-2Pa，温度为950-1050℃，时间为0.5-5h；优点是扩散难度小，扩散效率高，且扩散效果好，适用于批量化操作。
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公开(公告)号：CN105742048B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610274147.9
申请日：2016-04-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种离子注入稀土及合金提高烧结钕铁硼磁体性能的方法，属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤为：将钕铁硼取向压坯真空预烧结得到预烧坯；利用高能离子注入技术，将稀土及合金元素以高能离子的形式注入预烧坯；进一步烧结致密化并发生稀土及合金元素晶界扩散，从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。该发明的优点是可以通过控制能量控制离子注入剂量，有效利用稀土及合金元素，避免多余稀土及合金元素富集在磁体表面及晶界；利用预烧坯有一定孔隙率从而增加离子注入深度，缩短扩散路径，提升扩散效率。
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公开(公告)号：CN104795228B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510029340.1
申请日：2015-01-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种晶界扩散Dy‑Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法。将Dy‑Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy‑Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体。本发明根据需要设计Dy‑Cu合金成分，制备成Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后，铺在钕铁硼磁体的周围，加热到略高于该Dy‑Cu合金铸锭熔点以上的温度，使其熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，随后进行退火热处理,最终得到产品。扩散源Dy‑Cu合金在晶界扩散热处理温度范围内会熔化为液态，不仅可以将Dy‑Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后作为扩散源，省去制成细粉并表面涂覆的过程，而且能够加速Dy、Cu元素在晶界的扩散，提高扩散层的深度，得到高性能的钕铁硼磁体。
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公开(公告)号：CN109192493A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811100185.8
申请日：2018-09-20
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高性能烧结钕铁硼永磁材料的制备方法，属于稀土永磁材料领域。通过磁控溅射法在预处理钕铁硼磁体表面沉积四元及四元以上稀土合金薄膜，以此为扩散源，经过均匀化、晶界扩散及低温回火热处理，改善磁体的边界结构，从而大幅度提高磁体的矫顽力，同时保证剩磁基本不变。所述四元及四元以上稀土合金薄膜成分为LRE100-x-y-zHRExMyAlz(1≤x≤40，1≤y≤20，1≤z≤20)，其中LRE为Y、La、Ce、Pr、Nd等轻稀土元素中的一种及以上，HRE为Tb、Dy、Ho等重稀土元素中的一种及以上，M为Cu、Fe、Co、Ga、Zr、Zn、Mn、Mg等合金元素中的一种及以上。本发明制备的均匀、致密、结合力强的稀土合金薄膜作为扩散源，数量连续可控，扩散处理后磁体的磁性能一致性较好；可减少稀土用量，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104388952B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201410729880.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于稀土永磁材料领域，特别提供了一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法。其特征是烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素后，经过1－100MPa的高压热处理，以加速Dy/Tb元素在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗，从而获得高矫顽力磁体。具体工艺步骤是：先对钕铁硼磁体表面进行清洁处理，在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素，然后对其进行高压热处理，使Dy/Tb元素在磁体晶界快速扩渗，再经过中温热处理使磁体边界结构得到进一步改善，最终得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明的突出优点是：高压热处理可以加速Dy/Tb元素在晶界的扩渗，不仅可以处理厚度更大的样品，而且大大降低热处理温度和缩短热处理时间，显著提高效率。
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公开(公告)号：CN105895358A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610423986.2
申请日：2016-06-15
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01F41/0293 , C23C10/30 , H01F1/0571
Abstract: 本发明属于磁性功能材料领域，特别提供了一种钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法。其特征在于将R－M合金氢破粉作为钕铁硼磁体晶界扩渗的扩渗源，其中R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho中的至少一种，M为Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Al中的至少一种，M的原子分数5－30％。具体工艺步骤为：用速凝法制备R－M合金薄片；将合金薄片进行氢破处理得到R－M氢破粉；将R－M氢破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩渗源；进行晶界扩渗及退火热处理。该发明的主要优点是：R－M氢破粉具有很强的抗氧化性；R?M氢破粉熔点低，扩渗效率高；工艺简单，操作方便。
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公开(公告)号：CN105252011A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510745473.9
申请日：2015-11-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用热喷涂技术制备铁基磁致伸缩涂层的方法，属于磁性材料领域。先将铁基磁致伸缩材料制备球形气雾化粉末，再以金属材料为基底，将球形气雾化粉末通过等离子喷涂的方式喷射到金属基底上，制得铁基磁致伸缩涂层。具体步骤是先把铁基磁致伸缩材料在真空熔炼炉熔成铸锭，通过机加工去除表面的氧化皮，再把铸锭送到高压雾化制粉装置，通过高速的氩气气流将熔融的合金液流破碎成小液滴并冷凝成粉末。热喷涂技术采用等离子喷涂，等离子气体以氮气为主，氢气为辅把铁基磁致伸缩气雾化粉末送进等离子室，通过加热、熔化、飞行、撞击基体、冷却凝固、形成涂层。其优点是：涂层结合强度高、组织细密、孔隙率低、合金元素的添加减少氧化物夹渣。
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公开(公告)号：CN104795228A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510029340.1
申请日：2015-01-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种晶界扩散Dy-Cu合金制备高性能钕铁硼磁体的方法。将Dy-Cu合金速凝薄带或普通铸锭粗破后直接作为钕铁硼磁体的表面扩散源，经过扩散热处理，在钕铁硼磁体的晶界形成一层富Dy-Cu的薄层，从而获得高矫顽力钕铁硼磁体。本发明根据需要设计Dy-Cu合金成分，制备成Dy-Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后，铺在钕铁硼磁体的周围，加热到略高于该Dy-Cu合金铸锭熔点以上的温度，使其熔融为液态，附着在钕铁硼磁体的表面，随后进行退火热处理,最终得到产品。扩散源Dy-Cu合金在晶界扩散热处理温度范围内会熔化为液态，不仅可以将Dy-Cu合金速凝薄带或传统铸锭并粗破碎后作为扩散源，省去制成细粉并表面涂覆的过程，而且能够加速Dy、Cu元素在晶界的扩散，提高扩散层的深度，得到高性能的钕铁硼磁体。
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公开(公告)号：CN104388952A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410729880.6
申请日：2014-12-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于稀土永磁材料领域，特别提供了一种加速烧结钕铁硼磁体表面Dy/Tb附着层扩渗的方法。其特征是烧结钕铁硼磁体的表面附着Dy/Tb元素后，经过1－100MPa的高压热处理，以加速Dy/Tb元素在烧结钕铁硼磁体晶界的扩渗，从而获得高矫顽力磁体。具体工艺步骤是：先对钕铁硼磁体表面进行清洁处理，在洁净的钕铁硼磁体表面附着上Dy/Tb元素，然后对其进行高压热处理，使Dy/Tb元素在磁体晶界快速扩渗，再经过中温热处理使磁体边界结构得到进一步改善，最终得到高矫顽力钕铁硼磁体。本发明的突出优点是：高压热处理可以加速Dy/Tb元素在晶界的扩渗，不仅可以处理厚度更大的样品，而且大大降低热处理温度和缩短热处理时间，显著提高效率。
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