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公开(公告)号：CN113147946A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110307714.7
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部 , 哈尔滨工业大学
IPC: B62D57/032 , B64G1/62
Abstract: 本发明提供了一种足端机构，涉及着陆器技术领域，包括足架组件、足掌组件和足爪结构，足架组件包括基座和多个足筋，多个足筋分别与基座连接，并形成伞状结构；足掌组件设置在基座上，并适于容纳在伞状结构形成的空间内，足掌组件适于在与接触面接触时伸缩；足爪结构与足筋的端部铰接，足爪结构与接触面接触的一端采用第一仿生结构，足爪结构的另一端与足掌组件连接；当足爪结构与接触面接触时，足掌组件适于为足爪结构提供抓地力。本发明中足端机构能从不同方向上获得抓地力，因此能够提供足够的抓地力，同时，足掌组件可以吸收与接触面接触时的冲击能量，缓冲效果好。
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公开(公告)号：CN113147946B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110307714.7
申请日：2021-03-23
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部 , 哈尔滨工业大学
IPC: B62D57/032 , B64G1/62
Abstract: 本发明提供了一种足端机构，涉及着陆器技术领域，包括足架组件、足掌组件和足爪结构，足架组件包括基座和多个足筋，多个足筋分别与基座连接，并形成伞状结构；足掌组件设置在基座上，并适于容纳在伞状结构形成的空间内，足掌组件适于在与接触面接触时伸缩；足爪结构与足筋的端部铰接，足爪结构与接触面接触的一端采用第一仿生结构，足爪结构的另一端与足掌组件连接；当足爪结构与接触面接触时，足掌组件适于为足爪结构提供抓地力。本发明中足端机构能从不同方向上获得抓地力，因此能够提供足够的抓地力，同时，足掌组件可以吸收与接触面接触时的冲击能量，缓冲效果好。
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公开(公告)号：CN115063385B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210762670.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06V10/40 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0455 , G06N3/0895
Abstract: 本发明涉及晶圆检测技术领域，公开了一种用于晶圆检测的机器视觉方法，包括以下步骤：步骤1：采用ImageNet1000数据集预训练MAE模型，并采用公共工业数据集对MAE模型进行初次微调；步骤2：确认待检测晶圆数据；并对MAE模型进行二次微调，得到改进MAE模型；步骤3：筛选标准训练样本；所述标准训练样本内仅包含有合格晶圆样本；步骤4：改进MAE模型基于标准训练样本进行特征提取并构建记忆库；步骤5：由改进MAE模型对待检测晶圆数据进行特征提取；步骤6：按照比对策略比对标准Patch Embedding和待检测晶圆数据的Patch Embedding，并判定得到待检测晶圆数据的合格Patch；步骤7：根据合格Patch确定并分割待检测晶圆数据的异常区域。本发明能够精准检测晶圆，识别精准度较高。
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公开(公告)号：CN117746102A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311624219.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/762 , G06V10/82 , G06V10/74 , G06V10/77 , G06T7/00
Abstract: 本发明属于半导体晶圆检测技术领域，具体涉及一种用于晶圆缺陷分类的机器视觉方法、设备及存储介质。其中一种用于晶圆缺陷分类的机器视觉方法包括：S1：拟合正样本数据，建立正样本模型；S2：将样品晶圆数据输入所述正样本模型，通过特征信息比对，筛选出负样本数据；S3：对所述负样本数据进行聚类分析，获得缺陷种类；S4：输入生产线上采集到的晶圆数据进行比对，当判断所检测的晶圆为具有缺陷的晶圆时，与所述缺陷种类进行比对，获得有缺陷的晶圆的缺陷分类结果。其目的是：解决传统的晶圆检测过程中只能识别出晶圆是否为缺陷产品，无法对具有缺陷的晶圆的缺陷进行分类的问题。
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公开(公告)号：CN117593604A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311608733.9
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及半导体检测技术领域，公开了一种自适应晶圆正样本筛选方法，包括：阶段1，采用缺陷模拟策略，生成模拟缺陷样本；阶段2，设置训练集和测试集；所述训练集中包括由整片晶圆分割而成的多个Die；所述测试集中包括模拟缺陷样本和正样本；采用预设迭代算法，基于测试集对训练集中的样本进行数据清洗，并筛选得到训练集中的正样本。本发明无需人工干预即可实现对晶圆样本的正样本筛选，能够为后续基于正样本的无监督异常检测模型提供大规模的正样本训练集，有助于降低样本采集成本，提高采集效率和精准度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116485779B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310527789.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06T3/04 , G06T3/4007 , G06T7/11 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/40 , G06N3/0464 , G06N3/088
Abstract: 本申请提供一种自适应晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及缺陷检测技术领域。方法包括：获取通过相机拍摄晶圆得到的相机图像；对相机图像进行预处理，以得到待检图像；将待检图像输入经过训练的预设缺陷检测模型，以得到表征晶圆是否存在缺陷的检测结果，其中，预设缺陷检测模型是基于无监督算法PaDim构建得到的；当检测结果为晶圆存在缺陷时，通过预设图像分割策略，从相机图像中分割出表征缺陷区域的图像，以作为图像分割结果。如此，可以改善当下基于机器视觉检测晶圆缺陷的方式，存在缺陷样本难采集、人力成本高昂、复杂环境下的缺陷检测鲁棒性不足的问题。
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公开(公告)号：CN116500042B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310516332.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本申请提供一种缺陷检测方法、装置、系统及存储介质，涉及缺陷检测技术领域。缺陷检测系统包括条纹光源和相机。方法包括：获取相机拍摄条纹光源照射下的待检物得到的相机图像；对相机图像进行预处理，以得到待检图像；将待检图像输入经过训练的、基于PatchCore算法构建得到的预设缺陷检测模型，以得到待检图像中的缺陷特征与预设缺陷检测模型中的特征库对比后生成的异常得分热力图。如此，可以改善常规检测算法在进行微弱凹凸缺陷检测时，缺陷的召回率低、漏检率大、准确性不足的问题。
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公开(公告)号：CN116596875A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310527795.0
申请日：2023-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06T3/00 , G06T7/136 , G06T7/13 , G06N3/0464 , G06N3/088 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/40
Abstract: 本申请提供一种晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质。方法包括：获取通过相机拍摄晶圆得到的相机图像；对相机图像进行预处理，得到待检图像；将待检图像输入预设缺陷检测模型，得到表征晶粒是否存在缺陷的检测结果；当检测结果为晶粒存在缺陷时，从预设缺陷检测模型检测待检图像过程中提取的特征图中，分割得到表征缺陷区域的子特征图，并从预设缺陷检测模型检测待检图像过程中生成的异常得分热力图中，分割得到表征缺陷区域的注意力图；将子特征图和注意力图输入预设分类器，得到表征缺陷类别的分类结果。如此，可以改善传统晶圆检测中，海量异常样本难采集、异常检测无法适应晶圆工艺正常变化以及缺乏缺陷类别信息的问题。
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公开(公告)号：CN116542934B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310514328.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学
IPC: G06T7/00 , G06T7/73 , G06T7/62 , G06V10/28 , G06V10/764
Abstract: 本申请提供一种薄膜电容工艺检测方法及电子设备。方法包括：获取采集基膜得到的待测图像及预先创建的与待测图像对应的模板图像，其中，基膜包括用于制作薄膜电容的呈阵列排布的多个内电极；基于模板图像中的预设图区，对待测图像进行分区定位，得到相匹配的多个图区组，其中，多个图区组中的每个图区组包括模板图像中的任一预设图区及待测图像中与任一预设图区对应的待测图区；针对每个图区组，对待测图区和任一预设图区相同位置的像素点的灰度值相减，得到待测图区的残差图区；根据预设分类策略，确定残差图区的检测结果，检测结果包括表征残差图区是否存在缺陷的结果。如此，有利于提高薄膜电容的内电极缺陷检测准确性。
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公开(公告)号：CN116485779A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310527789.5
申请日：2023-05-11
Applicant: 哈尔滨工业大学重庆研究院 , 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: G06T7/00 , G06T3/00 , G06T3/40 , G06T7/11 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/40 , G06N3/0464 , G06N3/088
Abstract: 本申请提供一种自适应晶圆缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及缺陷检测技术领域。方法包括：获取通过相机拍摄晶圆得到的相机图像；对相机图像进行预处理，以得到待检图像；将待检图像输入经过训练的预设缺陷检测模型，以得到表征晶圆是否存在缺陷的检测结果，其中，预设缺陷检测模型是基于无监督算法PaDim构建得到的；当检测结果为晶圆存在缺陷时，通过预设图像分割策略，从相机图像中分割出表征缺陷区域的图像，以作为图像分割结果。如此，可以改善当下基于机器视觉检测晶圆缺陷的方式，存在缺陷样本难采集、人力成本高昂、复杂环境下的缺陷检测鲁棒性不足的问题。
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